В однозонной модели сильной связи исследовано влияние примеси замещения на энергетический спектр и электропроводность графена. Установлено, что упорядочение атомов замещения на узлах кристаллической решётки приводит к возникновению щели в энергетическом спектре графена шириной $\eta|\delta|$ с центром в точке $y\delta$, где $\eta$ — параметр упорядочения, $\delta$ — разность потенциалов рассеяния атомов примеси и углерода, $y$ — концентрация примеси. Если уровень Ферми попадает в область указанной щели, то при упорядочении графена электропроводность $\sigma_{\alpha\alpha} → \infty$, т.е. возникает переход металл–диэлектрик. Если уровень Ферми находится вне щели, то при увеличении параметра порядка $\eta$ электропроводность возрастает по закону $\sigma_{\alpha\alpha} \approx (y^2 - (1/4)\eta^2)^{-1}$. При концентрации $y$ = 1/2 с упорядочением атомов примеси ($\eta$ → 1) электропроводность графена $\sigma_{\alpha\alpha} → \infty$, т.е. графен переходит в состояние идеальной проводимости. Исследована область локализации электронных примесных состояний, которые возникают на краях спектра и энергетической щели.