В однозонній моделі сильного зв’язку досліджено вплив домішки заміщення на енергетичний спектр та електропровідність графену. Встановлено, що впорядкування атомів заміщення на вузлах кристалічної гратки приводить до виникнення щілини в енергетичному спектрі графену шириною $\eta|\delta|$ з центром в точці $y\delta$, де $\eta$ — параметр впорядкування, $\delta$ — різниця потенціалів розсіяння атомів домішки і вуглецю, $y$ — концентрація домішки. Якщо рівень Фермі потрапляє в область зазначеної щілини, то при упорядкуванні графену електропровідність $\sigma_{\alpha\alpha} → \infty$, тобто виникає перехід метал–діелектрик. Якщо рівень Фермі лежить поза щілиною, то при збільшенні параметру порядку $\eta$ електропровідність збільшується за законом $\sigma_{\alpha\alpha} \approx (y^2 - (1/4)\eta^2)^{-1}$. При концентрації $y$ = 1/2 з впорядкуванням атомів домішки ($\eta$ → 1) електропровідність графену $\sigma_{\alpha\alpha} → \infty$, тобто виникає перехід графену в стан ідеальної провідності. Досліджено області локалізації електронних домішкових станів, які виникають на краях спектру та краях енергетичної щілини.