Processing math: 100%
Выпуски МФиНТ »  Том 41, выпуск 5

Сверхпроводниковые гибридные гетероструктуры MoRe–Si(W)–MoRe и транспорт заряда через локализованные в барьере состояния носителей заряда

В. Е. Шатерник1, А. П. Шаповалов2, А. Ю. Суворов1

1Институт металлофизики им. Г. В. Курдюмова НАН Украины, бульв. Академика Вернадского, 36, 03142 Киев, Украина
2Институт сверхтвёрдых материалов им. В.Н. Бакуля НАН Украины, ул. Автозаводская, 2, 04074 Киев, Украина

Получена: 05.11.2018. Скачать: PDF

В работе приведены результаты исследования транспорта заряда в сверхпроводниковых гетероструктурах MoRe–Si(W)–MoRe c гибридным барьером в виде слоя полупроводника с кластерами металла. При низком содержании вольфрама в барьере вольт-амперные характеристики гетероструктуры определяются вкладами в транспорт зарядов одновременно от туннельных процессов и процессов Андреевских отражений носителей. При повышенном содержании вольфрама в барьере в гетероструктурах возникают сверхпроводящие токи, обусловленные Андреевскими отражениями носителей на интерфейсах и одновременно резонансно-перколяционным транспортом заряда через барьеры.

Ключевые слова: гибридные сверхпроводниковые гетероструктуры, переход Джозефсона, одномерный транспорт, резонансное туннелирование, резонансно-перколяционный транспорт.

URL: http://mfint.imp.kiev.ua/ru/abstract/v41/i05/0565.html

PACS: 73.23.Hk, 73.30.+y, 74.45.+c, 74.50.+r, 74.55.+v, 74.81.Fa

ЦИТИРОВАННАЯ ЛИТЕРАТУРА
  1. J. U. Knickerbocker, P. S. Andry, B. Dang, R. R. Horton, M. J. Interrante, C. S. Patel, R. J. Polastre, K. Sakuma, R. Sirdeshmukh, E. J. Sprogis, S. M. Sri-Jayantha, A. M. Stephens, A. W. Topol, C. K. Tsang, B. C. Webb, and S. L. Wright, IBM J. Research and Development, 52, No. 6: 553 (2008). Crossref
  2. S. De Franceschi, L. Kouwenhoven, C. Schönenberger, and W. Wernsdorfer, Nature Nanotechnology, 5, No. 10: 703 (2010). Crossref
  3. J. Alicea, Reports on Progress in Physics, 75, No. 7: 076501 (2012). Crossref
  4. V. Shaternik, M. Belogolovskii, T. Prikhna, A. Shapovalov, O. Prokopenko, D. Jabko, O. Kudrja, O. Suvorov, and V. Noskov, Physics Procedia, 36, No. 1: 94 (2012). Crossref
  5. T. Prikhna, A. Shapovalov, M. Eisterer, V. Shaternik, W. Goldacker, H. W. Weber, V. Moshchil, A. Kozyrev, V. Sverdun, V. Boutko, G. Grechnev, V. Kovylaev, and A. Shaternik, Physica C: Superconductivity and Its Applications, 533: 36 (2017). Crossref
  6. T. Prikhna, W. Gawalek, Ya. Savchuk, N. Sergienko, V. Moshchil, V. Sokolovsky, J. Vajda, V. Tkach, F. Karau, H. Weber, M. Eisterer, A. Juolain, J. Rabier, X. Chaud, M. Wendt, J. Dellith, N. Danilenko, T. Habisreuther, S. Dub, V. Meerovich, D. Litzkendorf, P. Nagorny, L. Kovalevl, Ch. Schmidt, V. Melnikov, A. Shapovalov, A. Kozyrev, V. Sverdun, J. Kosa, and A. Vlasenko, Acta Phys. Pol. A, 117: 7 (2010). Crossref
  7. A. L. Gudkov, M. Yu. Kupriyanov, and A. N. Samus’, JETP, 114, No. 5: 818 (2012). Crossref
  8. V. Shaternik, A. Shapovalov, M. Belogolovskii, O. Suvorov, S. Döring, S. Schmidt, and P. Seidel, Mater. Res. Exp., 1, No. 2: 026001 (2014). Crossref
  9. V. M. Pan, V. P. Gorishnyak, E. M. Rudenko, V. E. Shaternik, M. V. Belous, S. A. Koziychuk, and F. I. Korzhinsky, Cryogenics, 23, No. 5: 258 (1983). Crossref
  10. V. E. Shaternik, A. P. Shapovalov, A. Yu. Suvorov, N. A. Skoryk, and M. A. Belogolovskii, Low Temp. Phys., 42: 426 (2016). Crossref
  11. V. E. Shaternik, A. P. Shapovalov, T. A. Prikhna, O. Y. Suvorov, M. A. Skorik, V. I. Bondarchuk, and V. E. Moshchil, IEEE Trans. Appl. Supercond., 27, No. 4: 1800507 (2017). Crossref
  12. V. Shaternik, M. Belogolovskii, A. Plecenik, Š. Beňačka, M. Grajcar, and E. Rudenko, Physica C, 350, Nos. 3–4: 187 (2001). Crossref
  13. V. Lacquaniti, C. Cassiago, N. De Leo, M. Fretto, A. Sosso, P. Febvre, V. Shaternik, A. Shapovalov, A. Suvorov, M. Belogolovskii, and P. Seidel, IEEE Trans. Appl. Supercond., 26, No. 3: 1100505 (2016). Crossref
  14. V. Shaternik, A. Shapovalov, and O. Suvorov, Low Temp. Phys., 43, No. 7: 877 (2017). Crossref
  15. V. Ya. Kirpichenkov, N. V. Kirpichenkova, O. I. Lozin, and A. A. Postnikov, JETP Letters, 104, No. 7: 500 (2016). Crossref
  16. D. Olaya, P. Dresselhaus, S. Benz, A. Herr, Q. Herr, A. Ioannidis, D. Miller, and A. Kleinsasser, Appl. Phys. Lett., 96: 213510 (2010). Crossref
  17. A. Л. Гудков, Электронная промышленность, 3: 77 (2004).
  18. С. Г. Калашников, Электричество (Москва: Физматлит: 2003).
  19. M. Fouaidy, T. Junquera, A. Caruette, and Q. Shu, Proc. of 7th Workshop on RF Superconductivity (October 17–20, 1995) (Gif-sur-Yvette, France: 1995), p. 559.
  20. D. S. Dubyna, E. M. Rudenko, A. A. Krakovny, and V. L. Noskov, J. Low Temp. Phys., 173, Nos. 5/6: 327 (2013). Crossref
  21. K. K. Likharev, Dynamics of Josephson Junctions and Circuits (New York: Gordon and Breach: 1986).
  22. K. K. Likharev, Rev. Mod. Phys., 51, No. 1: 101 (1979). Crossref
  23. J. Clarke and A. I. Braginski, The SQUID Handbook, Vol. 1. Fundamentals and Technology of SQUIDs and SQUID Systems (Weinheim: Wiley-VCH Verlag: 2004). Crossref
  24. A. Plecenik, S. Gazi, M. Zuzcak, S. Benacka, V. Shaternik, and E. Rudenko, Low Temp. Phys., 25: 810 (1999). Crossref
  25. Y. Naveh, V. Patel, D. Averin, K. Likharev, and J. Lukens, Phys. Rev. Lett., 85: 5404 (2000). Crossref
  26. G. E. Blonder, M. Tinkham, and T. M. Klapwijk, Phys. Rev. B, 25, No. 7: 4515 (1982). Crossref
  27. K. A. Matveev and A. I. Larkin, Phys. Rev. B, 46, No. 23: 15337 (1992). Crossref
  28. V. M. Svistunov, A. I. D’yachenko, and M. A. Belogolovskii, J. Low Temp. Phys., 31, Nos. 3–4: 339 (1978). Crossref
  29. Y. I. Stepurenko, V. E. Shaternik, and E. M. Rudenko, Low Temp. Phys., 26, No. 7: 467 (2000). Crossref
  30. H. Fritzsche, Amorphous Silicon and Related Materials (World Scientific: 1989). Crossref
  31. I. M. Lifshitz and V. Y. Kirpichenkov, Sov. Phys. JETP, 50, No. 3: 989 (1979).
  32. T. Plecenik, M. Tomášek, M. Belogolovskii, M. Truchly, M. Gregor, J. Noskovič, M. Zahoran, T. Roch, I. Boylo, M. Španková, Š. Chromik, P. Kúš, and A. Plecenik, J. Appl. Phys., 111, No. 5: 056106 (2012). Crossref

© 2013–2019 «ИМФ НАН Украины»