Надпровідникові гібридні гетероструктури MoRe–Si(W)–MoRe та транспорт заряду через локалізовані в бар’єрі стани
В. Є. Шатернік1, А. П. Шаповалов2, О. Ю. Суворов1
1Інститут металофізики ім. Г. В. Курдюмова НАН України, бульв. Академіка Вернадського, 36, 03142 Київ, Україна
2Інститут надтвердих матеріалів ім. В. М. Бакуля НАН України, вул. Автозаводська, 2, 04074 Київ, Україна
Отримано: 05.11.2018. Завантажити: PDF
В роботі наведено результати дослідження транспорту заряду в надпровідникових гетероструктурах MoRe–Si(W)–MoRe з гібридним бар’єром у вигляді шару напівпровідника з кластерами металу. При низькому вмісті вольфраму в бар’єрі вольт-амперні характеристики гетероструктури визначаються внесками у транспорт зарядів одночасно від тунельних процесів та процесів Андріївських відбивань носіїв. При підвищеному вмісті вольфраму в бар’єрі в гетероструктурах виникають надпровідні струми, обумовлені Андріївськими відбиваннями носіїв на інтерфейсах та одночасно резонансно-перколяційним транспортом зарядів крізь бар’єри.
Ключові слова: гібридні надпровідникові гетероструктури, перехід Джозефсона, одновимірний транспорт, резонансне тунелювання, резонансно-перколяційний транспорт.
URL: http://mfint.imp.kiev.ua/ua/abstract/v41/i05/0565.html
PACS: 73.23.Hk, 73.30.+y, 74.45.+c, 74.50.+r, 74.55.+v, 74.81.Fa