Випуски МФіНТ »  Том 41, випуск 5

Надпровідникові гібридні гетероструктури MoRe–Si(W)–MoRe та транспорт заряду через локалізовані в бар’єрі стани

В. Є. Шатернік$^{1}$, А. П. Шаповалов$^{2}$, О. Ю. Суворов$^{1}$

$^{1}$Інститут металофізики ім. Г. В. Курдюмова НАН України, бульв. Академіка Вернадського, 36, 03142 Київ, Україна
$^{2}$Інститут надтвердих матеріалів ім. В. М. Бакуля НАН України, вул. Автозаводська, 2, 04074 Київ, Україна

Отримано: 05.11.2018. Завантажити: PDF

В роботі наведено результати дослідження транспорту заряду в надпровідникових гетероструктурах MoRe–Si(W)–MoRe з гібридним бар’єром у вигляді шару напівпровідника з кластерами металу. При низькому вмісті вольфраму в бар’єрі вольт-амперні характеристики гетероструктури визначаються внесками у транспорт зарядів одночасно від тунельних процесів та процесів Андріївських відбивань носіїв. При підвищеному вмісті вольфраму в бар’єрі в гетероструктурах виникають надпровідні струми, обумовлені Андріївськими відбиваннями носіїв на інтерфейсах та одночасно резонансно-перколяційним транспортом зарядів крізь бар’єри.

Ключові слова: гібридні надпровідникові гетероструктури, перехід Джозефсона, одновимірний транспорт, резонансне тунелювання, резонансно-перколяційний транспорт.

URL: http://mfint.imp.kiev.ua/ua/abstract/v41/i05/0565.html

PACS: 73.23.Hk, 73.30.+y, 74.45.+c, 74.50.+r, 74.55.+v, 74.81.Fa

ЦИТОВАНА ЛІТЕРАТУРА
  1. J. U. Knickerbocker, P. S. Andry, B. Dang, R. R. Horton, M. J. Interrante, C. S. Patel, R. J. Polastre, K. Sakuma, R. Sirdeshmukh, E. J. Sprogis, S. M. Sri-Jayantha, A. M. Stephens, A. W. Topol, C. K. Tsang, B. C. Webb, and S. L. Wright, IBM J. Research and Development, 52, No. 6: 553 (2008). Crossref
  2. S. De Franceschi, L. Kouwenhoven, C. Schönenberger, and W. Wernsdorfer, Nature Nanotechnology, 5, No. 10: 703 (2010). Crossref
  3. J. Alicea, Reports on Progress in Physics, 75, No. 7: 076501 (2012). Crossref
  4. V. Shaternik, M. Belogolovskii, T. Prikhna, A. Shapovalov, O. Prokopenko, D. Jabko, O. Kudrja, O. Suvorov, and V. Noskov, Physics Procedia, 36, No. 1: 94 (2012). Crossref
  5. T. Prikhna, A. Shapovalov, M. Eisterer, V. Shaternik, W. Goldacker, H. W. Weber, V. Moshchil, A. Kozyrev, V. Sverdun, V. Boutko, G. Grechnev, V. Kovylaev, and A. Shaternik, Physica C: Superconductivity and Its Applications, 533: 36 (2017). Crossref
  6. T. Prikhna, W. Gawalek, Ya. Savchuk, N. Sergienko, V. Moshchil, V. Sokolovsky, J. Vajda, V. Tkach, F. Karau, H. Weber, M. Eisterer, A. Juolain, J. Rabier, X. Chaud, M. Wendt, J. Dellith, N. Danilenko, T. Habisreuther, S. Dub, V. Meerovich, D. Litzkendorf, P. Nagorny, L. Kovalevl, Ch. Schmidt, V. Melnikov, A. Shapovalov, A. Kozyrev, V. Sverdun, J. Kosa, and A. Vlasenko, Acta Phys. Pol. A, 117: 7 (2010). Crossref
  7. A. L. Gudkov, M. Yu. Kupriyanov, and A. N. Samus’, JETP, 114, No. 5: 818 (2012). Crossref
  8. V. Shaternik, A. Shapovalov, M. Belogolovskii, O. Suvorov, S. Döring, S. Schmidt, and P. Seidel, Mater. Res. Exp., 1, No. 2: 026001 (2014). Crossref
  9. V. M. Pan, V. P. Gorishnyak, E. M. Rudenko, V. E. Shaternik, M. V. Belous, S. A. Koziychuk, and F. I. Korzhinsky, Cryogenics, 23, No. 5: 258 (1983). Crossref
  10. V. E. Shaternik, A. P. Shapovalov, A. Yu. Suvorov, N. A. Skoryk, and M. A. Belogolovskii, Low Temp. Phys., 42: 426 (2016). Crossref
  11. V. E. Shaternik, A. P. Shapovalov, T. A. Prikhna, O. Y. Suvorov, M. A. Skorik, V. I. Bondarchuk, and V. E. Moshchil, IEEE Trans. Appl. Supercond., 27, No. 4: 1800507 (2017). Crossref
  12. V. Shaternik, M. Belogolovskii, A. Plecenik, Š. Beňačka, M. Grajcar, and E. Rudenko, Physica C, 350, Nos. 3–4: 187 (2001). Crossref
  13. V. Lacquaniti, C. Cassiago, N. De Leo, M. Fretto, A. Sosso, P. Febvre, V. Shaternik, A. Shapovalov, A. Suvorov, M. Belogolovskii, and P. Seidel, IEEE Trans. Appl. Supercond., 26, No. 3: 1100505 (2016). Crossref
  14. V. Shaternik, A. Shapovalov, and O. Suvorov, Low Temp. Phys., 43, No. 7: 877 (2017). Crossref
  15. V. Ya. Kirpichenkov, N. V. Kirpichenkova, O. I. Lozin, and A. A. Postnikov, JETP Letters, 104, No. 7: 500 (2016). Crossref
  16. D. Olaya, P. Dresselhaus, S. Benz, A. Herr, Q. Herr, A. Ioannidis, D. Miller, and A. Kleinsasser, Appl. Phys. Lett., 96: 213510 (2010). Crossref
  17. A. Л. Гудков, Электронная промышленность, 3: 77 (2004).
  18. С. Г. Калашников, Электричество (Москва: Физматлит: 2003).
  19. M. Fouaidy, T. Junquera, A. Caruette, and Q. Shu, Proc. of 7th Workshop on RF Superconductivity (October 17–20, 1995) (Gif-sur-Yvette, France: 1995), p. 559.
  20. D. S. Dubyna, E. M. Rudenko, A. A. Krakovny, and V. L. Noskov, J. Low Temp. Phys., 173, Nos. 5/6: 327 (2013). Crossref
  21. K. K. Likharev, Dynamics of Josephson Junctions and Circuits (New York: Gordon and Breach: 1986).
  22. K. K. Likharev, Rev. Mod. Phys., 51, No. 1: 101 (1979). Crossref
  23. J. Clarke and A. I. Braginski, The SQUID Handbook, Vol. 1. Fundamentals and Technology of SQUIDs and SQUID Systems (Weinheim: Wiley-VCH Verlag: 2004). Crossref
  24. A. Plecenik, S. Gazi, M. Zuzcak, S. Benacka, V. Shaternik, and E. Rudenko, Low Temp. Phys., 25: 810 (1999). Crossref
  25. Y. Naveh, V. Patel, D. Averin, K. Likharev, and J. Lukens, Phys. Rev. Lett., 85: 5404 (2000). Crossref
  26. G. E. Blonder, M. Tinkham, and T. M. Klapwijk, Phys. Rev. B, 25, No. 7: 4515 (1982). Crossref
  27. K. A. Matveev and A. I. Larkin, Phys. Rev. B, 46, No. 23: 15337 (1992). Crossref
  28. V. M. Svistunov, A. I. D’yachenko, and M. A. Belogolovskii, J. Low Temp. Phys., 31, Nos. 3–4: 339 (1978). Crossref
  29. Y. I. Stepurenko, V. E. Shaternik, and E. M. Rudenko, Low Temp. Phys., 26, No. 7: 467 (2000). Crossref
  30. H. Fritzsche, Amorphous Silicon and Related Materials (World Scientific: 1989). Crossref
  31. I. M. Lifshitz and V. Y. Kirpichenkov, Sov. Phys. JETP, 50, No. 3: 989 (1979).
  32. T. Plecenik, M. Tomášek, M. Belogolovskii, M. Truchly, M. Gregor, J. Noskovič, M. Zahoran, T. Roch, I. Boylo, M. Španková, Š. Chromik, P. Kúš, and A. Plecenik, J. Appl. Phys., 111, No. 5: 056106 (2012). Crossref

© 2013–2019 «ІМФ НАН України»