Loading [MathJax]/jax/output/HTML-CSS/jax.js

Влияние мощности распыления на оптоэлектронные свойства легированных железом индийсберегающих плёнок оксида индия-олова

М. Охтсука1, Р. Сергиенко2, С. Петровская3, Б. Илькив3, Т. Накамура1

1Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University, 2 Chome-1-1 Katahira, Aoba Ward, Sendai, Miyagi 980-0812, Japan
2Физико-технологический институт металлов и сплавов НАН Украины, бульв. Академика Вернадского, 34/1, 03142 Киев, Украина
3Институт проблем материаловедения им. И. Н. Францевича НАН Украины, ул. Академика Кржижановского, 3, 03142 Киев, Украина

Получена: 22.10.2018; окончательный вариант - 12.02.2019. Скачать: PDF

Тонкие плёнки оксида индия-олова (ОИO), легированные железом со сниженным до 50% масс. содержанием оксида индия, осаждались на стеклянные подложки, предварительно нагретые при 523 К, путём совместного напыления мишеней ОИO и Fe2O3 в смешанной атмосфере аргон-кислород. Влияние разных мощностей высокочастотного напыления Fe2O3 мишени на электрические, оптические, структурные и морфологические свойства плёнок было исследовано с помощью четырёхточечного метода, ультрафиолетовой–видимой–инфракрасной (УФ–Вид–ИК) спектроскопии, рентгеновской дифракции и атомной силовой спектроскопии. Объёмное сопротивление порядка 930 мкОмсм и пропускание выше 85% получены для плёнок, осаждённых при оптимальных условиях. Легирование железом приводит к заметному увеличению пропускания света видимой части спектра и повышает температуру кристаллизации тонких плёнок ОИO.

Ключевые слова: легированный железом оксид индия-олова, электрические свойства, оптические свойства, магнетронное распыление на постоянном токе, высокочастотное напыление.

URL: http://mfint.imp.kiev.ua/ru/abstract/v41/i07/0941.html

PACS: 61.05.cp, 68.37.Ps, 68.55.J-, 73.61.At, 78.66.Bz, 81.15.Cd


ЦИТИРОВАННАЯ ЛИТЕРАТУРА
  1. K. P. Sibin, G. Srinivas, H. D. Shashikala, A. Dey, N. Sridhara, A. K. Sharma, and H. C. Barshilia, Sol. Energy Mater. Sol. Cells, 145, Iss. 4, Part 3: 10787 (2018). Crossref
  2. Z. Meng, H. Peng, C. Wu, C. Qiu, K. K. Li, M. Wong, and H. S. Kwok, J. Soc. Inform. Display, 12: 113 (2004). Crossref
  3. C. Hengst, S. B. Menzel, G. K. Rane, V. Smirnov, K. Wilken, B. Leszczynska, D. Fischer, and N. Prager, Materials, 10: 245 (2017). Crossref
  4. O. Tuna, Y. Selamet, G. Aygun, and L. Ozyuzer, J. Phys. D: Appl. Phys., 43, No. 5: 055402-1 (2010). Crossref
  5. Z. Ghorannevis, E. Akbarnejad, and M. Ghoranneviss, J. Theor. Appl. Phys., 9, Iss. 4: 285 (2015). Crossref
  6. Sh.-Ch. Her and Ch.-F. Chang, J. Appl. Biomater. Funct. Mater., 15, Iss. 2: 170 (2017). Crossref
  7. T. Minami, Y. Takeda, S. Takata, and T. Kakumu, Thin Solid Films, 308–309: 13 (1997). Crossref
  8. T. Minami, T. Miyata, and T. Yamamoto, Surf. Coat. Tech., 108–109: 583 (1998). Crossref
  9. T. Minami, T. Kakumu, K. Shimokawa, and S. Takata, Thin Solid Films, 317, Iss. 1–2: 318 (1998). Crossref
  10. L. Voisin, M. Ohtsuka, S. Petrovska, R. Sergiienko, and T. Nakamura, Optik, 156: 728 (2018). Crossref
  11. S. Li, X. Qiao, and J. Chen, Mater. Chem. Phys., 98: 144 (2006). Crossref
  12. L. Voisin, M. Ohtsuka, and T. Nakamura, Mater. Trans., 51, Iss. 3: 503 (2010). Crossref
  13. M. Ohtsuka, R. Sergiienko, S. Petrovska, B. Ilkiv, and T. Nakamura, Optik, 179: 19 (2019). Crossref
  14. H. A. Mohamed, J. Phys. D Appl. Phys., 40, No. 14: 4234 (2007). Crossref
  15. W. J. Heward and D. J. Swenson, J. Mater. Sci., 42, Iss. 17: 7135 (2007). Crossref
  16. N. Nadaud, M. Nanot, J. Jové, and T. Roisnel, Key Eng. Mater., 132–136: 1373 (1997). Crossref
  17. L. Xu and X. Li, J. Cryst. Growth, 312, Iss. 6: 851 (2010). Crossref
  18. F. Gao, X. Y. Liu, L. Y. Zheng, M. X. Li, Y. M. Bai, and J. Xie, J. Cryst. Growth, 371: 126 (2013). Crossref
  19. J. F. Moulder, W. E. Stickle, P. E. Sobol, and K. E. Bomben, Handbook of X-Ray Photoelectron Spectroscopy (Minnesota, Perkin-Elmer Corporation: 1992).