Вплив потужності розпорошення на оптоелектронні властивості легованих залізом індійзберігаючих плівок оксиду індію-олова

М. Охтсука$^{1}$, Р. Сергієнко$^{2}$, С. Петровська$^{3}$, Б. Ільків$^{3}$, Т. Накамура$^{1}$

$^{1}$Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University, 2 Chome-1-1 Katahira, Aoba Ward, Sendai, Miyagi 980-0812, Japan
$^{2}$Фізико-технологічний інститут металів та сплавів НАН України, бульв. Академіка Вернадського, 34/1, 03142 Київ, Україна
$^{3}$Інститут проблем матеріалознавства ім. І. М. Францевича НАН України, вул. Академіка Кржижановського, 3, 03142 Київ, Україна

Отримано: 22.10.2018; остаточний варіант - 12.02.2019. Завантажити: PDF

Тонкі плівки оксиду індію-олова (ОІО), леговані залізом зі зниженим до 50% мас. вмістом оксиду індію, осаджувалися на скляні підкладки, попередньо нагріті при 523 К, шляхом одночасного напорошення мішеней ОIO і Fe$_2$O$_3$ у змішаній атмосфері аргон-кисень. Вплив різних потужностей високочастотного напорошення мішені Fe$_2$O$_3$ на електричні, оптичні, структурні і морфологічні властивості плівок досліджено за допомогою чотирьохточкового методу, ультрафіолетової–видимої–інфрачервоної (УФ–Вид–ІЧ) спектроскопії, рентґенівської дифракції і атомної силової спектроскопії. Об’ємний опір порядку 930 мкОм$\cdot$см і пропускання вище 85% отримано для плівок, осаджених за оптимальних умов. Легування залізом призводить до помітного збільшення пропускання світла видимої частини спектра і підвищує температуру кристалізації тонких плівок ОIO.

Ключові слова: легований залізом оксид індію-олова, електричні властивості, оптичні властивості, магнетронне розпилення на постійному струмі, високочастотне напорошення.

URL: http://mfint.imp.kiev.ua/ua/abstract/v41/i07/0941.html

PACS: 61.05.cp, 68.37.Ps, 68.55.J-, 73.61.At, 78.66.Bz, 81.15.Cd


ЦИТОВАНА ЛІТЕРАТУРА
  1. K. P. Sibin, G. Srinivas, H. D. Shashikala, A. Dey, N. Sridhara, A. K. Sharma, and H. C. Barshilia, Sol. Energy Mater. Sol. Cells, 145, Iss. 4, Part 3: 10787 (2018). Crossref
  2. Z. Meng, H. Peng, C. Wu, C. Qiu, K. K. Li, M. Wong, and H. S. Kwok, J. Soc. Inform. Display, 12: 113 (2004). Crossref
  3. C. Hengst, S. B. Menzel, G. K. Rane, V. Smirnov, K. Wilken, B. Leszczynska, D. Fischer, and N. Prager, Materials, 10: 245 (2017). Crossref
  4. O. Tuna, Y. Selamet, G. Aygun, and L. Ozyuzer, J. Phys. D: Appl. Phys., 43, No. 5: 055402-1 (2010). Crossref
  5. Z. Ghorannevis, E. Akbarnejad, and M. Ghoranneviss, J. Theor. Appl. Phys., 9, Iss. 4: 285 (2015). Crossref
  6. Sh.-Ch. Her and Ch.-F. Chang, J. Appl. Biomater. Funct. Mater., 15, Iss. 2: 170 (2017). Crossref
  7. T. Minami, Y. Takeda, S. Takata, and T. Kakumu, Thin Solid Films, 308–309: 13 (1997). Crossref
  8. T. Minami, T. Miyata, and T. Yamamoto, Surf. Coat. Tech., 108–109: 583 (1998). Crossref
  9. T. Minami, T. Kakumu, K. Shimokawa, and S. Takata, Thin Solid Films, 317, Iss. 1–2: 318 (1998). Crossref
  10. L. Voisin, M. Ohtsuka, S. Petrovska, R. Sergiienko, and T. Nakamura, Optik, 156: 728 (2018). Crossref
  11. S. Li, X. Qiao, and J. Chen, Mater. Chem. Phys., 98: 144 (2006). Crossref
  12. L. Voisin, M. Ohtsuka, and T. Nakamura, Mater. Trans., 51, Iss. 3: 503 (2010). Crossref
  13. M. Ohtsuka, R. Sergiienko, S. Petrovska, B. Ilkiv, and T. Nakamura, Optik, 179: 19 (2019). Crossref
  14. H. A. Mohamed, J. Phys. D Appl. Phys., 40, No. 14: 4234 (2007). Crossref
  15. W. J. Heward and D. J. Swenson, J. Mater. Sci., 42, Iss. 17: 7135 (2007). Crossref
  16. N. Nadaud, M. Nanot, J. Jové, and T. Roisnel, Key Eng. Mater., 132–136: 1373 (1997). Crossref
  17. L. Xu and X. Li, J. Cryst. Growth, 312, Iss. 6: 851 (2010). Crossref
  18. F. Gao, X. Y. Liu, L. Y. Zheng, M. X. Li, Y. M. Bai, and J. Xie, J. Cryst. Growth, 371: 126 (2013). Crossref
  19. J. F. Moulder, W. E. Stickle, P. E. Sobol, and K. E. Bomben, Handbook of X-Ray Photoelectron Spectroscopy (Minnesota, Perkin-Elmer Corporation: 1992).