Формирование напылённых индиевых наносистем с использованием поверхностей (0001) InSe в качестве шаблона
П. В. Галий$^{1}$, Т. М. Ненчук$^{1}$, А. Цижевский$^{2}$, П. Мазур$^{2}$, Я. М. Бужук$^{1}$, З. М. Любунь$^{1}$, О. Р. Дверий$^{3}$
$^{1}$Львовский национальный университет имени Ивана Франко, ул. Университетская, 1, 79000 Львов, Украина
$^{2}$Университет Вроцлава, Институт экспериментальной физики, пл. Макса Борна, 9, 50-204 Вроцлав, Польша
$^{3}$Национальная академия сухопутных войск имени гетмана Петра Сагайдачного, ул. Героев Майдана, 32, 79026, Украина
Получена: 10.06.2019. Скачать: PDF
Поверхность двумерного слоистого полупроводникового кристалла InSe использовалась в качестве матрицы для направленной сборки наноструктур индия. Исследование формирования наносистемы In/(0001)InSe проводилось с использованием данных сканирующей туннельной микроскопии. Индий термически напыляли на структурно совершенные поверхности скалывания кристаллов InSe, полученные в экспериментальных условиях сверхвысокого вакуума. Удалось добиться формирования точечных наноразмерных структур треугольной формы в результате процесса вторичного смачивания поверхности твёрдого тела вследствие её нагрева выше температуры плавления индия. Кроме того, пространственное расположение таких наноструктур обуславливается гексагональной симметрией поверхностной решётки InSe.
Ключевые слова: сканирующая туннельная микроскопия, дифракция медленных электронов, слоистый кристалл, селенид индия, направленная шаблоном сборка наноструктур, гетеро-наноструктуры.
URL: http://mfint.imp.kiev.ua/ru/abstract/v41/i10/1395.html
PACS: 68.35.Ct, 68.37.Ef, 68.47.De, 68.47.Fg, 68.65.-k, 73.20.At, 81.16.Dn