Формирование напылённых индиевых наносистем с использованием поверхностей (0001) InSe в качестве шаблона

П. В. Галий $^{1}$ , Т. М. Ненчук $^{1}$ , А. Цижевский $^{2}$ , П. Мазур $^{2}$ , Я. М. Бужук $^{1}$ , З. М. Любунь $^{1}$ , О. Р. Дверий $^{3}$

$^{1}$ Львовский национальный университет имени Ивана Франко, ул. Университетская, 1, 79000 Львов, Украина
$^{2}$ Университет Вроцлава, Институт экспериментальной физики, пл. Макса Борна, 9, 50-204 Вроцлав, Польша
$^{3}$ Национальная академия сухопутных войск имени гетмана Петра Сагайдачного, ул. Героев Майдана, 32, 79026, Украина

Получена: 10.06.2019. Скачать: PDF

Поверхность двумерного слоистого полупроводникового кристалла InSe использовалась в качестве матрицы для направленной сборки наноструктур индия. Исследование формирования наносистемы In/(0001)InSe проводилось с использованием данных сканирующей туннельной микроскопии. Индий термически напыляли на структурно совершенные поверхности скалывания кристаллов InSe, полученные в экспериментальных условиях сверхвысокого вакуума. Удалось добиться формирования точечных наноразмерных структур треугольной формы в результате процесса вторичного смачивания поверхности твёрдого тела вследствие её нагрева выше температуры плавления индия. Кроме того, пространственное расположение таких наноструктур обуславливается гексагональной симметрией поверхностной решётки InSe.

Ключевые слова: сканирующая туннельная микроскопия, дифракция медленных электронов, слоистый кристалл, селенид индия, направленная шаблоном сборка наноструктур, гетеро-наноструктуры.

URL: http://mfint.imp.kiev.ua/ru/abstract/v41/i10/1395.html

PACS: 68.35.Ct, 68.37.Ef, 68.47.De, 68.47.Fg, 68.65.-k, 73.20.At, 81.16.Dn

ЦИТИРОВАННАЯ ЛИТЕРАТУРА

L. Yu. Kharkhalis, K. E. Glukhov, and M. Sznajder, Acta Phys. Polonica A, 126 (5): 1146 (2014). Crossref
A. Politano, D. Campi, M. Cattelan, I. Ben Amara, S. Jaziri, A. Mazzotti, A. Barinov, B. Gürbulak, S. Duman, S. Agnoli, L. S. Caputi, G. Granozzi, and A. Cupolillo, Scientific Reports, 7: 3445 (11pp) (2017). Crossref
D. A. Bandurin, A. V. Tyurnina, G. L. Yu, A. Mishchenko, V. Zólyomi, S. V. Morozov, R. K. Kumar, R. V. Gorbachev, Z. R. Kudrynskyi, S. Pezzini, Z. D. Kovalyuk, U. Zeitler, K. S. Novoselov, A. Patanè, L. Eaves, I. V. Grigorieva, V. I. Fal’ko, A. K. Geim, and Y. Cao, Nat. Nanotechnol., 12: 223 (2017). Crossref
P. V. Galiy, T. M. Nenchuk, A. Ciszewski, P. Mazur, I. R. Yarovets’, and O. R. Dveriy, Metallofiz. Noveishie Tekhnol., 39, No. 7: 995 (2017). Crossref
T. Komesu, H. Yi, S. Gilbert, K. Fukutani, A. J. Yost, A. Lipatov, A. Sinitskii, Ya.B. Losovyj, P. Galiy, J. Avila, C. Chen, M. C. Asensio, and P. A. Dowben, Symp. F: Surfaces and Interfaces in Multilayered Thin Films and Nano-Composites (E-MRS 2018) (September 17–19, 2018, Warsaw), p. F.5.1.
J.-S. Rhyee, K. H. Lee, S. M. Lee, E. Cho, S. I. Kim, E. Lee, Y. S. Kwon, J. H. Shim, and G. Kotliar, Nature, 459: 965 (2009). Crossref
R. A. Hughes, E. Menumerov, and S. Neretina, Nanotechnology, 28: 282002 (24pp) (2017). Crossref
P. Galiy, P. Mazur, A. Ciszewski, T. Nenchuk, and I. Yarovets, Eur. Phys. J. Plus, 134: 70 (2019). Crossref
P. V. Galiy, T. M. Nenchuk, P. Mazur, A. Ciszewski, and I. R. Yarovets, Molecular Crystals and Liquid Crystals, 674, Iss. 1: 11 (2018). Crossref
K. Imai, K. Suzuki, T. Haga, Y. Hasegawa, and Y. Abe, J. Crystal Growth, 54, No. 3: 501 (1981). Crossref
D. W. Boukhvalov, B. Gürbulak, S. Duman, L. Wang, A. Politano, L. S. Caputi, G. Chiarello, and A. Cupolillo, Nanomaterials (Basel), 7, No. 11: E372 (2017). Crossref
P. V. Galiy, T. M. Nenchuk, and J. M. Stakhira, J. Phys. D: Appl. Phys., 34, No. 1: 18 (2001). Crossref
I. Horcas, R. Fernandez, J. M. Gomez-Rodriguez, J. Colchero, J. Gomez-Herrero, and A. M. Baro, Rev. Sci. Instrum., 78: 013705 (2007). Crossref
D. M. Bercha, K. Z. Rushchanskii, L. Yu. Kharkhalis, and M. Sznajder, Condensed Matter Physics, 3, No. 4: 749 (2000). Crossref
V. G. Dubrovskii, Nucleation Theory and Growth of Nanostructures (Berlin: Springer-Verlag Berlin Heidelberg: 2014). Crossref