Формування напилених індієвих наносистем з використанням поверхонь (0001) InSe у якості шаблону
П. В. Галій$^{1}$, Т. М. Ненчук$^{1}$, А. Ціжевський$^{2}$, П. Мазур$^{2}$, Я. М. Бужук$^{1}$, З. М. Любунь$^{1}$, О. Р. Дверій$^{3}$
$^{1}$Львівський національний університет імені Івана Франка, вул. Університетська, 1, 79000 Львів, Україна
$^{2}$Університет Вроцлава, Інститут експериментальної фізики, пл. Макса Борна, 9, 50-204 Вроцлав, Польща
$^{3}$Національна академія сухопутних військ імені гетьмана Петра Сагайдачного, вул. Героїв Майдану, 32, 79026 Львів, Україна
Отримано: 10.06.2019. Завантажити: PDF
Поверхня двовимірного шаруватого напівпровідникового кристала InSe використовувалася в якості шаблону для спрямованої збірки індієвих наноструктур. Дослідження наносистеми In/(0001)InSe проводилося за допомогою даних сканувальної тунельної мікроскопії. Індій наносили за допомогою методу термічного напилення на структурно досконалі поверхні сколювання кристалів InSe, отримані в експериментальних умовах надвисокого вакууму. Вдалося досягти формування точкових нанорозмірних структур трикутної форми внаслідок процесу повторного змочування поверхні твердого тіла внаслідок її нагріву вище температури плавлення індію. Крім того, просторове розташування таких наноструктур обумовлене гексагональною симетрією поверхневої ґратки кристалу InSe.
Ключові слова: сканувальна тунельна мікроскопія, дифракція повільних електронів, шаруватий кристал, селенід індію, спрямована шаблоном збірка наноструктур, гетеро-наноструктури.
URL: http://mfint.imp.kiev.ua/ua/abstract/v41/i10/1395.html
PACS: 68.35.Ct, 68.37.Ef, 68.47.De, 68.47.Fg, 68.65.-k, 73.20.At, 81.16.Dn