Чтобы избежать возникновения механических напряжений в системе плёнка–подложка и разрушения феррогранатовой плёнки, предложено на подложке из галлий-гадолиниевого граната Gd$_3$Ga$_5$O$_{12}$ (ГГГ) ($a_s$ = 12,383 Å) наращивать тонкие слои немагнитного граната Gd$_{3-x}$Y$_x$Ga$_5$O$_{12}$ (Y:ГГГ) (0 $\leq$ х $\leq$ 0,2) с отрицательным градиентом параметра кристаллической решётки в направлении к плёнке железо-иттриевого граната Y$_3$Fe$_5$O$_{12}$ (ЖИГ) ($a_f$ = 12,376 Å), которая выращивается методом жидкофазной эпитаксии на переходном слое. Регулируя технологические условия выращивания (температуру и скорость роста, степень переохлаждения раствора-расплава), получены переходные слои Y:ГГГ толщиной от 2,2 до 6,4 мкм, у которых параметр кристаллической решётки плавно меняется от значения 12,3827 Å около подложки из ГГГ к 12,3762–12,3789 Å на поверхности слоя. Плёнки ЖИГ, выращенные на подложках с переходным слоем, обладали толщинами до 130 мкм и значениями ширины линии ферромагнитного резонанса $\Delta H$ = (0,34–0,57) Э при толщине $\leq$73 мкм.