Щоб унеможливити виникнення механічних напружень в системі плівка-підкладинка і руйнування фероґранатової плівки, запропоновано на підкладинці з галій-гадолінійового ґранату Gd$_3$Ga$_5$O$_{12}$ (ГГҐ) ($a_s$ = 12,383 Å) нарощувати тонкі шари немагнітного ґранату Gd$_{3-x}$Y$_x$Ga$_5$O$_{12}$ (Y:ГГҐ) (0 $\leq$ х $\leq$ 0,2) з від’ємним ґрадієнтом параметра кристалічної ґратниці в напрямі до плівки залізо-ітрійового ґранату Y$_3$Fe$_5$O$_{12}$ (ЗІҐ) ($a_f$ = 12,376 Å, яка вирощується методом рідкофазної епітаксії на перехідному шарі. Шляхом регулювання технологічних умов вирощування (температури та швидкості росту, ступені переохолодження розчину-розплаву) отримано перехідні шари Y:ГГҐ товщиною від 2,2 до 6,4 мкм, параметр кристалічної ґратниці яких плавно змінюється від значення 12,3827 Å біля підкладинки з ГГҐ до 12,3762–12,3789 Å на поверхні шару. Плівки ЗІҐ, вирощені на підкладинках з перехідним шаром, мали товщини до 130 мкм і значення ширини лінії феромагнітного резонансу $\Delta H$ = (0,34–0,57) E при товщинах $\leq$73 мкм.