Плазмонная спектроскопия применена для исследования электронных состояний вблизи ориентированной параллельно кристаллографической плоскости (100) поверхности монокристалла W после различных видов её термохимической и ионной обработок. Исследование атомарно чистых граней металлических монокристаллов в сверхвысоком вакууме позволило повысить достоверность экспериментальных данных и сравнить их с существующими теоретическими моделями, разработанными для идеальных кристаллов со свободной поверхностью. Определены усреднённые значения энергии поверхностных ($E_s$) и объёмных ($E_b$) плазмонов, их отношение $E_{b}/E_{s}$, соответствующие этим плазмонам концентрации электронов проводимости, относительное изменение межплоскостных расстояний, а также значения работы выхода электронов с поверхности образца W (100) в исходном состоянии, а также после последовательных нагреваний в интервале температур 500–1600°C, экспозиций в чистом атомарном кислороде и бомбардировки низкоэнергетическими ионами Ar$^{+}$. Дано объяснение существенной зависимости экспериментальных значений энергии возбуждения плазмонов от состояния поверхности образца и степени их приближения в процессе его термохимической и ионной обработок к значениям, рассчитанным согласно классической теории коллективных электронно-плазменных колебаний в твёрдом теле. Получены важные для практического применения в термоэмиссионных преобразователях энергии минимальное (4,07 эВ) и максимальное (4,37 эВ) значения работы выхода электронов с поверхности W (100), определяемые типами её обработки.