Плазмонна спектроскопія застосована для дослідження електронних станів поблизу орієнтованої паралельно кристалографічній площині (100) поверхні монокристала W після різних видів її термохімічної та йонної обробок. Дослідження атомарно чистих граней металевих монокристалів у надвисокому вакуумі дозволило підвищити достовірність експериментальних даних і порівняти їх з існуючими теоретичними моделями, розробленими для ідеальних кристалів з вільною поверхнею. Визначено усереднені значення енергії поверхневих ($E_s$) і об’ємних ($E_b$) плазмонів, їх відношення $E_{b}/E_{s}$, концентрації електронів провідності, що відповідають цим плазмонам, відносну зміну міжплощинних відстаней, а також значення роботи виходу електронів з поверхні зразка W (100) у вихідному стані, а також після послідовних нагрівань в інтервалі температур 500–1600°C, експозицій в чистому атомарному кисні і бомбардування низькоенергетичними йонами Ar$^{+}$. Дано пояснення суттєвої залежності експериментальних значень енергії збудження плазмонів від стану поверхні зразка і ступеня їх наближення в процесі його термохімічної та йонної обробок до значень, розрахованих згідно з класичною теорією колективних електронно-плазмових коливань в твердому тілі. Одержано важливі для практичного застосування в термоемісійних перетворювачах енергії мінімальне (4,07 еВ) і максимальне (4,37 еВ) значення роботи виходу електронів з поверхні W (100), що визначаються типами її обробки.