В работе исследовано изменение характера деформации тонких слоёв индия в зависимости от температуры и направлений в кристаллах при жёстком низкотемпературном термомеханическом циклировании в интервале 2–300 К. Показано, что усиление анизотропии термоупругих деформаций в этом металле при переходе от объёмных изотропных поликристаллических контактов к квазианизотропным 2D-наноконтактам приводит к появлению в некоторых кристаллографических направлениях при напряжениях $\sim {\sigma_B}$ «отрицательных» дилатаций в интервале 15–(80)100 К. Проанализированы механизмы накопления в слоях индия механических напряжений такого уровня в условиях ограниченного пространства и подвижности дислокаций. В рамках дислокационной модели оценены высота и коэффициенты прозрачности барьеров Пайерлса для перегибов на дислокациях в Индии, выявлена высокая вероятность их преодоления путём проникновения (туннелирования) перегибов-солитонов через барьеры в тех кристаллографических направлениях, для которых коэффициенты Пуассона $\nu \sim$0,5 и которые могут служить каналами релаксации разрушающих напряжений, накопившихся в слое.