У роботі досліджено зміну характеру деформації тонких шарів індію в залежності від температури і кристалографічних напрямів при жорсткому низькотемпературному термомеханічному циклуванні в інтервалі 2–300 К. Показано, що посилення анізотропії термопружних деформацій у цьому металі при переході від об’ємних ізотропних полікристалічних до квазіанізотропних 2D-наноконтактів призводить до появи в деяких кристалографічних напрямках при напруженнях $\sim {\sigma_B}$ «від’ємних» дилатацій в інтервалі 15–(80)100 К. Проаналізовано механізми накопичення в шарах індію механічних напружень такого рівня в умовах обмеженого простору і обмеженої рухливості дислокацій. В рамках дислокаційної моделі оцінено висоту бар’єрів Пайєрлса для перегинів на дислокаціях в індії та коефіцієнти їх прозорості. Виявлено високу ймовірність їх подолання шляхом проникнення (тунелювання) перегинів-солітонів через бар’єри у тих кристалографічних напрямах, для яких коефіцієнти Пуассона $\nu \sim$0,5 і які можуть слугувати каналами релаксації руйнівних напружень, що накопичились у шарі.