Методом когерентного потенциала, основанным на кластерном разложении для функции Грина неупорядоченной системы, в рамках однозонной модели Хаббарда исследуются взаимосогласованные атомное и магнитное ближние упорядочения в бинарных сплавах замещения с сильными электронными корреляциями при $T$ = 0 К. В переменных $U–n$ (потенциал кулоновского отталкивания–электронная концентрация) в полуэллиптической модели для исходной плотности электронных состояний построено магнитные (МФД) и атомные (АФД) фазовые диаграммы в случае равной концентрации компонент ОЦК-сплава. Показано, что при значениях $U$, превышающих значение для верхней границы появления парамагнитной фазы, в центральной части МФД (в окрестности $n$ = 1) статические флуктуации зарядовой и спиновой плотностей приводят к разнице в величинах электронных концентраций и магнитных моментов на атомах разного сорта, что способствует подавлению атомного упорядочения (способствует атомному расслоению). В парамагнитной области атомному упорядочению при удалении от $n$ = 1 препятствует только увеличение разницы между значениями концентраций электронов на атомах разного сорта и наблюдается фазовое расслоение согласно правил Юм-Розери. Магнитная подсистема сплава, как и в случае однокомпонентных систем и полностью атомно-разупорядоченных сплавов, сохраняет тенденцию к реализации антиферромагнитного упорядочения в центральной части МФД (вблизи $n$ = 1), однако границы магнитных фаз смещаются под влиянием атомного упорядочения, нарушая электрон-дырочную симметрию МФД, характерную для однокомпонентных систем.