Методом когерентного потенціалу, що базується на кластерному розкладі для функції Гріна невпорядкованої системи, в рамках однозонної моделі Хаббарда досліджуються взаємоузгоджені атомне і магнeтне близькі впорядкування у бінарних стопах заміщення з сильними електронними кореляціями при $T$ = 0 К. В змінних $U–n$ (потенціал кулонівського відштовхування–електронна концентрація) у напівеліптичній моделі для вихідної густини електронних станів побудовано магнeтні (МФД) та атомні (АФД) фазові діаграми у випадку рівної концентрації компонент ОЦК-стопу. Встановлено, що за значень $U$, які перевищують значення для верхньої межі появи парамагнeтної фази, в центральній частині МФД (в околі $n$ = 1) статичні флуктуації зарядової та спінової густин призводять до різниці у величинах електронних концентрацій та магнeтних моментів на атомах різного сорту, що сприяє пригніченню атомного упорядкування (сприяє атомному розшаруванню). У парамагнeтній області атомному впорядкуванню при віддаленні від $n$ = 1 перешкоджає тільки збільшення різниці між значеннями концентрацій електронів на атомах різного сорту і спостерігається фазове розшарування згідно правил Юм-Розері. Магнeтна підсистема стопу, як і у випадку однокомпонентних систем та цілком атомно-розупорядкованих стопів, зберігає тенденцію до реалізації антиферомагнeтного впорядкування в центральній частині МФД (поблизу $n$ = 1). Однак границі магнeтних фаз зміщуються під впливом атомного впорядкування, порушуючи електрон-діркову симетрію МФД, характерну для однокомпонентних систем.