Развит новый формализм описания взаимодействия электромагнитного поля с кристаллом. Основными характеристиками предлагаемого подхода являются плотность энергии и импульс поля. Реакция среды на внешнее возмущение рассматривается как локальное изменение геометрии, которое заключается в повороте ортогонального базиса, построенного на векторах индукции и импульса поля. При этом геометрические характеристики определяются структурными параметрами среды. Получены фундаментальные уравнения в локальном базисе. Показано, что разделение волн на поляризации при рассмотрении задач рассеяния рентгеновской волны на кристалле не вполне корректно даже в случае идеального кристалла. Получены общие уравнения, которые позволяют рассчитывать импульс и энергию поля при его взаимодействии с кристаллом.