Методом Рентґенівської фотоелектронної спектроскопії досліджено електронну будову аморфного металевого стопу Fe$_{82}$Si$_{4}$B$_{14}$. Встановлено, що для аморфних стопів Fe$_{82}$Si$_{4}$B$_{14}$ характерна наявність окисненого поверхневого шару з товщиною близько 100 нм. Крім зв’язків C—C, у цьому шарі виявлено зв’язки, характерні для складних вуглецевих сполук типу C=O. В окисненому шарі Бор та його сполуки присутні у вигляді слідів. Спостерігається значна поверхнева сеґреґація Силіцію, концентрація якого зберігається постійною як в окисненому шарі, так і за досліджуваною глибиною стрічки. Ферум в окисненому шарі представлено переважно оксидами. В об’ємі стрічки виявлено присутність карбіду силіцію SiC, а також незначну кількість Оксиґену та Нітроґену. Карбон на поверхні досліджуваного аморфного металевого стопу знаходиться здебільшого в окисненому стані, в той час як в об’ємі він знаходиться у вигляді сполук із Силіцієм, очевидно, у вигляді карбіду силіцію.