В рамках узагальненого однозонного Хаббардового моделю досліджено концентраційні залежності магнетних властивостей бінарних ОЦК-стопів із безладом заміщення. Порушення трансляційної інваріянтности стопу через атомове розупорядкування призводить до порушення електронно-діркової симетрії, що проявляється в пороговому характері антиферомагнетного впорядкування при половинному заповненні зони та в асиметрії магнетних фазових діяграм стопів відносно відповідного значення середньої електронної концентрації на один вузол ($n = 1$). Встановлено, що різний переважний порядок заповнення Хаббардових підзон для компонентів стопу A і B зі зростанням $n$, який визначається знаком потенціялу домішкового розсіяння, зумовлює в загальному випадку несиметричність відносно точки $P_{0}^{A} = 0,5$ залежностей магнетних характеристик ізовалентних стопів ($Z_{A} = Z_{B}$, $n = const$) від концентрації компонента A($P_{0}^{A}$). Несиметричність аналогічних концентраційних залежностей для стопів із $Z_{A} = 1$, $Z_{B} = 0$ зумовлено зв’язком $n = P_{0}^{A}$. Спостережувані для таких стопів концентраційні залежності локалізованих магнетних моментів є схожими із залежністю від $n$ аналогічної величини для чистого металу, однак характеризуються різними числовими значеннями магнетних моментів для різних компонентів стопу, а також можливістю іншої концентраційної залежности параметрів магнетного порядку. Концентраційні залежності магнетних моментів у стопах із $Z_{A} = 2$, $Z_{B} = 0$, на відміну від інших типів стопів, виявляються значною мірою симетричними. При цьому концентраційна залежність параметра магнетного порядку є несиметричною через порушення електронно-діркової симетрії при зміні $n = 2P_{0}^{A}$ від 0 до 2.