У рамках теорії функціоналу густини (ТФГ) розраховано повну та парціяльні густини електронних станів шаруватих структур золота різної симетрії товщиною від 1 до 10 моношарів. Показано, що перша координаційна сфера є визначальною у формуванні тонкої структури та ширини валентних зон моношарових структур золота. На розщеплення піків кривої повної густини станів, що приводить до більш тонкої структури, впливають не тільки довжини міжатомових зв’язків, але й взаємне розташування атомів. Встановлено вплив далекосяжних взаємодій на електронну структуру моношарів золота. Наприклад, для площини (110) зміна атомового порядку в третій координаційній сфері в результаті введення вакансії приводить до помітних змін на кривій повної густини станів, що свідчить або про значну роль атомів третьої координаційної сфери, або про істотний перерозподіл взаємодії $d$-орбіталей різних симетрій, що належать близьким сусідам. Встановлено кореляцію між щільністю пакування, а також кількістю сусідів у першій координаційній сфері та шириною енергетичних зон моношарів золота.