Структура, магнетні властивості та термічна стабільність стеків Mn/Pt/NiFe

М. Ю. Барабаш$^{1,2}$, Р. В. Педан$^{1}$, О. Дубіковський$^{1,3}$, А. В. Боднарук$^{1,4}$, С. М. Волошко$^{1}$, І. О. Круглов$^{1}$, А. К. Орлов$^{1}$, Д. С. Леонов$^{2}$, А. Кайдаціс$^{5,6}$, І. А. Владимирський$^{1}$

$^{1}$Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського», просп. Берестейський, 37, 03056 Київ, Україна
$^{2}$Технічний центр НАН України, вул. Покровська, 13, 04070 Київ, Україна
$^{3}$Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, пр. Науки, 41, 03028 Київ, Україна
$^{4}$Інститут фізики НАН України, пр. Науки, 46, 03028 Київ, Україна
$^{5}$Кафедра фізики, Університет Патрас, 26504 Ріо, Греція
$^{6}$Інститут нанонауки та нанотехнологій, НЦНД «Демокрітос», вул. патріота Грегоріу Е та Неаполеос, 27, 15310 Афіни, Греція

Отримано: 02.07.2025; остаточний варіант - 12.09.2025. Завантажити: PDF

У цьому дослідженні запропоновано ориґінальний підхід до формування антиферомагнетної (AФM) фази PtMn шляхом послідовного осадження шарів Mn і Pt на нагріту підкладинку Si/SiO2. На наступному етапі на дану АФМ-фазу осаджено феромагнетний (ФM) шар NiFe з метою досягнення АФМ/ФМ обмінного зв’язку, потрібного для застосування у пристроях спінтроніки. Показано, що термічна стійкість такої структури є достатньо обмеженою: відпал за температури, близької до температури блокування (400°C), призвів до повної відсутности зсуву польової залежности намагнетованости, зумовленої обмінним зв’язком. З іншого боку, виразний ефект обмінного зміщення спостерігався у зразку з шарами Pt/Mn, осадженими на підкладинку, нагріту до 500°C.

Ключові слова: відпал, структура, PtMn, FeNi, магнетні властивості, антиферомагнетик, коерцитивна сила, шарувата композиція.

URL: https://mfint.imp.kiev.ua/ua/abstract/v47/i10/1017.html

PACS: 68.35.Ct, 68.49.Sf, 68.60.Dv, 75.50.Vv, 75.60.Ej, 75.70.Ak, 82.80.Ms


ЦИТОВАНА ЛІТЕРАТУРА
  1. A. Hafarov, O. Prokopenko, S. Sidorenko, D. Makarov, and I. Vladymyrskyi, Conf. Proc. ‘Modern Magnetic and Spintronic Materials’ NATO Science for Peace and Security Series B: Physics and Biophysics (Eds. A. Kaidatzis, S. Sidorenko, I. Vladymyrskyi, and D. Niarchos) (Dordrecht: Springer: 2020), p. 73.
  2. J. M. Teixeira, J. Ventura, J. P. Araujo, J. B. Sousa, V. S. Amaral, B. Negulescu, M. Rickart, and P. P. Freitas, J. Non-Crystalline Solids, 354, Iss. 47–51: 5275 (2008).
  3. R. Y. Umetsu, C. Mitsumata, A. Sakuma, and K. Fukamichi, Tran. Magn. Society of Japan, 3, Iss. 3: 59 (2003).
  4. M. Rickart, P. P. Freitas, I. G. Trindade, N. P. Barradas, E. Alves, M. Salgueiro, N. Muga, J. Ventura, J. B. Sousa, G. Proudfoot, D. Pearson, and M. Davis, J. Appl. Phys., 95: 6317 (2004).
  5. Z. Liu, M. D. Biegalski, S.-L. Hsu, S. Shang, C. Marker, J. Liu, L. Li, L. Fan, T. L. Meyer, A. T. Wong, J. A. Nichols, D. Chen, L. You, Z. Chen, K. Wang, K. Wang, T. Z. Ward, Z. Gai, H. N. Lee, A. S. Sefat, V. Lauter, Z.-K. Liu, and H. M. Christen, Adv. Mater., 28, Iss. 1: 118 (2015).
  6. S. Honda, M. Nawate, and T. Norikane, J. Magn. Magn. Mater., 220, Iss. 1: 85 (2000).
  7. C. W. Chang, F. T. Yuan, P. Y. Yeh, Y. C. Chen, Y. L. Lai, P. H. Pan, C. R. Wang, L. Horng, and W. C. Chang, AIP Advances, 9, Iss. 3: 035330 (2019).
  8. H. W. Chang, C. Y. Shen F. T. Yuan, P. H. Pan Y. H. Chien, C. R. Wang, L. Horng, and S. R. Jian, Thin Solid Films, 660: 834 (2018).
  9. S. M. Voloshko, I. O. Kruhlov, R. Pedan, M. Garrido-Segovia, A. Orlov, O. Dubikovskyi, J. M. Garcia-Martin, A. Kaidatzis, and I. A. Vladymyrskyi, Phys. Scripta, 99: 115973 (2024).
  10. K. Pal and I. Das, Thin Solid Films, 790: 140211 (2024).
  11. H. Lv, D. C. Leitao, K. Pruegl, W. Raberg, P. P. Freitas, and S. Cardoso, J. Magn. Magn. Mater., 477: 68 (2019).
  12. S. Isogami, Y. Sasaki, Y. Fan, Y. Kubota, J. Gadbois, K. Hono, and Y. K. Takahashi, Acta Mater., 286: 120743 (2025).
  13. R. Pedan, P.Makushko, O. Dubikovskyi, A. Bodnaruk, A. Burmak, S. Sidorenko, S. Voloshko, V. Kalita, R. Hübner, and D. Makarov, J. Phys. D: Appl. Phys., 55, No. 40: 405004 (2022).