Вплив гамма-випромінення на структуру та діелектричні властивості наночастинок MnFe<sub>2</sub>O<sub>4</sub>

Вплив гамма-випромінення на структуру та діелектричні властивості наночастинок MnFe₂O₄

А. Ф. Гочуєва$^{1}$, Д. Ф. Рустамова$^{2}$, М. Бакитбек$^{3}$

$^{1}$Азербайджанський державний університет нафти та промисловості, пр. Азадлиг, 20, 1010 Баку, Азербайджан
$^{2}$Західнокаспійський університет, вул. Незалежності, 31, 1001 Баку, Азербайджан
$^{3}$Л. Євразійський національний університет імені Н. Гумільова, вул. Сатпаєва, 2, 010008 Астана, Казахстан

Отримано: 10.01.2025; остаточний варіант - 16.07.2025. Завантажити: PDF

У статті розглянуто сполуку MnFe₂O₄ (нанопорошок зі справжньою густиною в 4,96 г/см³, розміром частинок у 60 нм і чистотою у 98,5%, SkySpring Nanomaterials, США), яка на сьогоднішній день є широко використовуваною та вважається перспективним матеріялом. Ці частинки у вигляді порошку пресували за температури у 293 К і тиску у 50 кг/см² і формували зразок у формі таблетки розмірами 4×15×5 мм. У цій статті ми взяли неопромінений зразок, а також зразок, опромінений упродовж 1 і 10 годин, зберігаючи постійність дози. Інтенсивність випромінення становила D = 1,41 грей/с, доза опромінення — 50 грей. Ми дослідили структурні та діелектричні властивості зразків, а також розглянули вплив гамма-променів на ці властивості.

Ключові слова: ферит манґану, наноструктурні матеріяли, міжмолекулярні взаємодії, діелектричні властивості.

URL: https://mfint.imp.kiev.ua/ua/abstract/v48/i03/0321.html

PACS: 61.80.Ed, 61.82.Ms, 75.50.Gg, 75.50.Tt, 77.22.Ch, 77.22.Gm, 84.37.+q

ЦИТОВАНА ЛІТЕРАТУРА

A. F. Gochuyeva, J. Mod. Phys. B, 36, No. 2: 2150542 (2022).
A. F. Gochuyeva, J. Mod. Phys. B, 37, No. 10: 350057 (2023).
M. A. Kurbanov, G. Z. Suleymanov, N. A. Safarov, A. F. Gochuyeva, I. N. Orujov, and Z. M. Mamedova, Semicond., 45: 503 (2011).
A. F. Gochuyeva, M. A. Kurbanov, B. H. Khudayarov, and A. M. Aliyeva, Dig. J. Nanomater. Biostruct., 13, No. 1: 185 (2018).
Z. M. Mammadova, M. A. Gurbanov, A. F. Gochuyeva, G. Z. Suleymanov, and D. B. Taghiyev, EUFH, No. 11, Section 13: 108 (2014).
A. F. Gochuyeva and Kh. Kh. Hashimov, NMC&A, 7, No. 3: 194 (2023).
G. Z. Suleymanov, M. A. Gurbanov, A. Kh. Akbarov, Z. M. Mammadova, and A. F. Gochuyeva, Azerbaijan Chem. J., No. 4: 50 (2017).
M. K. Kerimov, M. A. Kurbanov, A. A. Bayramov, N. A. Safarov, and A. F. Gochuyeva, J. Scientific Israel – Technological Advantages, 14, No. 4: 9 (2012).
A. F. Gochuyeva, A. M. Mehdiyeva, and S. V. Bakhshaliyeva, NMC&A, 8, No. 1: 87 (2024).
A. F. Gochuyeva, Kh. Kh. Hashimov, and I. Y. Bayramov, Chalcogenide Lett., 20, No. 4: 285 (2023).
A. F. Gochuyeva, Semicond. Phys. Quantum Electron. Optoelectron., 27, No. 3: 298 (2024).
E. Firdus, D. Rustamova, A. Veyis, and Z. Talibov, J. Pharm. Negat. Results, 14, Iss. 2: 7 (2023).
A. P. Tyutnev, V. S. Sayenko, E. D. Pojidaev, and N. S. Kostyukov (Moskva: Nauka: 2005).