Розглянуто утворення перехідного дифузійного шару «покриття—підложжя» при електрокристалізації. Результати мікрорентґеноспектрального аналізу показали, що товщина дифузійного шару при електроосадженні ніклю на мідному підложжі склала 1,5—3 мкм при зміні катодного потенціялу від 0,1 до 0,3 В, а при електроосадженні цинку на мідному підложжі – 0,5—2 мкм при зміні потенціялу від 0,2 до 0,4 В. В межах моделю незбіжних сфер у теорії пружности розраховано енергії, необхідні для вбудовування адсорбованих атомів ніклю та цинку в кристалічну ґратницю мідного підложжя. Показано, що для систем, які утворюють тверді розчини Ni—Cu и Zn—Cu, енергії, що необхідні для вбудовування атомів ніклю чи цинку в кристалічну ґратницю мідного підложжя, є достатніми, але недостатніми для вбудовування атомів у кристалічну ґратницю вольфрамового підложжя, що підтверджується результатами мікрорентґеноспектрального аналізу.