Розглянуто процес резонансного тунелювання електронів через двобар’єрну наноструктуру під впливом зовнішніх шумів, обумовлених флуктуаціями амплітуди і фази в потоці електронів, які падають на тунельну систему. З урахуванням електростатичного відштовхування в квантовій ямі режим тунелювання за певних значень параметрів стає бістабільним і набуває підвищеної чутливості до шумів у точці нестабільності. Шум моделювався Ґауссовим процесом з нульовим часом кореляції. Досліджено вплив шумів на стаціонарну кореляційну функцію інтенсивності потоку електронів, який пройшов через систему, на двох гілках гістерезисного циклу і в околі точки нестабільності. При обчисленні кореляційної функції використовувався метод лінеаризації рівнянь руху в околі незбуреного динамічного режиму. Результати порівнювалися з одержаними при чисельній симуляції стохастичних рівнянь руху. Показано, що амплітудні і фазові флуктуації по-різному впливають на спад кореляційної функції з часом. При збільшенні інтенсивності шуму амплітуди площа під кривою функції кореляції збільшується, що свідчить про збільшення часу релаксації. Навпаки, при збільшенні інтенсивності шуму фази час релаксації зменшується. Одержано задовільне узгодження чисельних результатів з аналітичними розрахунками на спаді кореляційної функції.