У роботі досліджено вольт-амперні характеристики гетеропереходів MoRe—Si (W)—MoRe; при цьому товщина та концентрація допанту напівпровідникового бар’єру Si (W) виготовлених гетероструктур змінювалися в широкому діяпазоні значень. Було встановлено, що за відносно високих концентрацій (5—9 ат.%) вольфраму в кремнійовому бар’єрі спостерігається резонансний тунельний ефект через локалізовані рівні вольфрамових кластерів. Одночасно за певних умов у таких переходах виникає Джозефсонів надпровідний струм, обумовлений багаторазовими Андрєєвськими відбиваннями Боголюбових квазичастинок (квазиелектронів та квазидірок). Експериментально спостережуваний великий надлишковий струм квазичастинок крізь переходи свідчить про наявність істотного за величиною внеску в транспорт заряду від Андрєєвських відбивань на двох $S/N$-інтерфейсах досліджуваних Джозефсонових гетероструктур.