Методами спектроскопії повного струму і контактної ріжниці потенціялів у Андерсоновому варіянті вивчено вплив східчастого нагріву в діяпазоні 1300—2800 К у вакуумі до $5\cdot10^{10}$ Па на роботу виходу $\varphi$ і відбивання повільних електронів ($Е = 0-50$ еВ) від грані (110)W. Встановлено, що при 2400 К на ній формується внаслідок сеґреґації моношар вуглецю (графен) з $\varphi = 5,08 \pm 0,02$ еВ. Підвищення температури до 2800 К і оброблення в кисні видаляють Карбон і утворюється атомарно-чиста грань (110)W з $\varphi = 5,30$ еВ. Спостерігаються піки коефіцієнта відбивання електронів від цих поверхонь. Встановлено, що їх енергетичне положення (Е) пропорційне квадрату порядкового номера (n) піка, що пояснюється квантово-розмірними ефектами при надбар’єрному відбиванні електронів. Для грані (110)W спостерігаються 3 піки, інтенсивності яких із ростом n зменшуються від 45% до 18%, а для графену на ній – 6 піків (при цьому інтенсивності перших двох зменшуються до 10%).