Досліджено фізичні закономірності та механізми росту вуглецевих плівок та ерозії поверхні при опроміненні мішеней з кварцу (SiO$_{2}$) пучком прискорених йонів C$_{60}$ з енергією в інтервалі 2,5—10 кеВ за температури мішені у 373 К. Встановлено, що ріст вуглецевих плівок на поверхні мішеней з SiO$_{2}$, які опромінюються йонами C$_{60}$, спостерігається в інтервалі енергій йонів 2,5—3,75 кеВ. При цьому швидкість осадження вуглецю лімітується процесом ерозії поверхні росту, інтенсивність якого залежить від енергії йонів. При енергії йонів вище верхніх значень зазначених інтервалів плівка на поверхні не формується, і спостерігається ерозія матеріялу мішені. Показано можливість видалення аморфного оксиду з поверхні кремнієвого підложжя і формування на ній епітаксійного карбіду кремнію.