Вибухова кристалізація плівок аморфного кобальту на підшарі вуглецю
Є. Н. Зубарев1, О. Ю. Девізенко1, В. В. Кондратенко1, Д. В. Севрюков1, В. А. Севрюкова1, О. С. Гарбуз2, T. M. Сабов3, O. В. Дубіковський3, O. С. Оберемок3, В. П. Мельник3
1Національний технічний університет «Харківський політехнічний інститут», вул. Кирпичова, 21, 61002 Харків, Україна
2Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України, просп. Науки, 47, 61103 Харків, Україна
3Інститут фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАН України, просп. Науки, 41, 03028 Київ, Україна
Отримано: 18.01.2018. Завантажити: PDF
Методами просвітлювальної електронної мікроскопії, електронної дифракції, малокутової рентґенівської дифракції та вторинної йонної мас-спектрометрії досліджено механізм вибухової кристалізації аморфних плівок кобальту, вирощених на аморфному вуглецю методою магнетронного (на сталому струмі) розпорошування. Встановлено, що працюючий С-магнетрон під час осадження шару кобальту, а також зменшення швидкости осадження кобальту приводять до збільшення номінальної товщини кобальтового шару tCo,ном, за якої він знаходиться в аморфно-кластерному стані з невеликою часткою нанокристалічної фази кобальту. Збільшення номінальної товщини кобальту до граничної tгр≅ 5,0 нм приводить до виникнення кристалічних областей, характерних як для звичайної кристалізації (зерен з дефектами упаковки), так і великих областей із віссю зони [0001], характерних для вибухової кристалізації (без дефектів упаковки). Збільшення номінальної товщини існування аморфно-кластерної фази до критичної tкр≅ 6,0 нм супроводжується кристалізацією кобальту за механізмом вибухової кристалізації, в результаті якої утворюється високотекстурована плівка ГПУ-Со з віссю [0001], що перпендикулярна до підкладинки.
Ключові слова: кобальт, аморфно-кластерний стан, вибухова кристалізація, просвітлювальна електронна мікроскопія (ПЕМ).
URL: http://mfint.imp.kiev.ua/ua/abstract/v40/i03/0359.html
PACS: 07.85.Fv, 61.05.cm, 61.05.J-, 68.37.Lp, 68.49.Sf, 81.15.Cd, 82.80.Ms