В роботі викладені результати експериментальних досліджень процесу вакуумної CVD-синтези вуглецевих наноструктур на підкладинках із Si, SiO$_{2}$/Si, Тi з реґульованим додаванням плазмової компоненти робочого газу С$_{2}$Н$_{2}$ і СН$_{4}$ в зону синтези. В фізико-хемічних процесах синтези одержуваних наноструктур головну роль відіграє електронна компонента плазми, яка досягає підкладинки і на поверхні підкладинки здійснюється рекомбінація йонів з плазмовими електронами. Плазмова компонента в зоні синтези суттєво змінює структуру нановуглецевих фаз, їх співвідношення, розподіл на підкладинці, що визначає властивості покриттів, які одержуються. Вплив плазмової компоненти робочих газів стає значним, коли частка плазми в загальній кількості газу складає біля 1%. При цьому, незалежно від фізичної природи підкладинки на ній утворюються специфічні вуглецеві наноструктури зі значною часткою полімерних вуглецевих компонент.