Розв’язано задачу про квантову частинку в нескінченно глибокій потенціяльній ямі з внутрішнім потенціяльним бар’єром скінченої висоти. Розв’язок виконано в простому алгоритмічному підході, що дає змогу використовувати одержаний результат в дослідженнях напівпровідникових наноструктур. Реальна гетероструктура, яка відповідає цьому моделю, повинна виглядати як тонкий шар широкозонного напівпровідника, вміщений між двома дещо товщими шарами вузькозонного напівпровідника. Для забезпечення «нескінченної глибини» потенціяльної ями на зовнішні бокові поверхні потрійної напівпровідникової гетероструктури необхідно нанести шари провідника і подати від’ємний електричний потенціял. Інший варіянт практичної реалізації моделю можна здійснити розмістивши два електрони в одній потенціяльній ямі. В цьому випадку яма являє собою локальний простір, на межі якого подається від’ємний електричний потенціял. Внутрішній потенціяльний бар’єр виникає через Кулонову взаємодію електронів. Прикладом такої структури є нанопора на поверхні або в об’ємі металевого зразка.