В роботі представлено результати дослідження електрофізичних властивостей контактів метал–напівпровідник, де істотну роль відіграє структурно-домішковий стан напівпровідникової підкладинки та напорошеної плівки. Розглянуто вплив різних режимів підготовки пластин кремнію, в тому числі термічного гетерування, на час існування неосновних носіїв заряду та концентрацію електрично активних домішкових дефектів у приповерхневій зоні $n$-Si. Представлено результати міряння вольт-амперних характеристик переходів Fe/$n$-Si і (Fe + C)/$n$-Si та запропоновано кількісну оцінку їхніх випростувальних здатностей. Відображено вплив окисненої поверхні залізної плівки та її леґування Карбоном на випростувальні здатності переходів Fe/n-Si. Встановлено погіршення випростувальної здатности переходу (Fe + C)/$n$-Si за допомогою унікальної методики міряння електрофізичних властивостей тонкоплівкових переходів в умовах зростання зовнішнього механічного навантаження.