Неоднорідний питомий опір прозорих надпровідних плівок, виявлений методом Ван-дер-Пау
А. Шаповалов$^{1}$, Д. Менесенко$^{1,2}$, Є. Житлухіна$^{3,4}$, А. Парра$^{5}$, А. Алієв$^{5}$, В. Шамаєв$^{6}$, М. Грегор$^{4}$, Т. Плеценік$^{4}$
$^{1}$Київський академічний університет НАН та МОН України, бульв. Академіка Вернадського, 36, 03142 Київ, Україна
$^{2}$Інститут металофізики ім. Г. В. Курдюмова НАН України, бульв. Академіка Вернадського, 36, 03142 Київ, Україна
$^{3}$Донецький фізико-технічний інститут ім. О. О. Галкіна НАН України, вул. Р. Люксембург, 72, 83114 Донецьк, Україна
$^{4}$Centre for Nanotechnology and Advanced Materials, Comenius University Bratislava, F2 Mlynská dolina, 84248 Bratislava, Slovak Republic
$^{5}$Alan G. MacDiarmid NanoTech Institute, University of Texas at Dallas, 800 West Campbell Road., TX-75080 Richardson, USA
$^{6}$Донецький національний технічний університет, пл. Шибанкова, 2, 85300 Покровськ, Україна
Отримано: 08.04.2024; остаточний варіант - 06.05.2024. Завантажити: PDF
Виявлення структурної та транспортної неоднорідностей у надпровідних тонких плівках за допомогою стандартного чотироточкового методу вимагає багаторазових мірянь і може бути неточним. Представлено новий підхід щодо одержання інформації про неоднорідний перехід у надпровідний стан за допомогою методики ван-дер-Пау. Запропонований метод застосовано до електрохемічно відновлених плівок оксиду Індію й Стануму (ІСО), які є водночас прозорими та надпровідними. Розглянуто зв’язок між параметрами оброблення та надпровідними характеристиками плівок ІСО й обговорено перспективи використання таких зразків в інтеґрованих фотон-надпровідних чіпах для квантового оброблення інформації.
Ключові слова: прозора надпровідність, леґований In–Sn-оксид, чотироточковий опір, температурна та кутова залежності.
URL: https://mfint.imp.kiev.ua/ua/abstract/v46/i06/0517.html
PACS: 73.63.Rt, 74.25.Gz, 74.78.-w, 74.81.-g, 75.47.Lx, 84.37.+q, 85.25.Am