Неоднорідний питомий опір прозорих надпровідних плівок, виявлений методом Ван-дер-Пау

А. Шаповалов$^{1}$, Д. Менесенко$^{1,2}$, Є. Житлухіна$^{3,4}$, А. Парра$^{5}$, А. Алієв$^{5}$, В. Шамаєв$^{6}$, М. Грегор$^{4}$, Т. Плеценік$^{4}$

$^{1}$Київський академічний університет НАН та МОН України, бульв. Академіка Вернадського, 36, 03142 Київ, Україна
$^{2}$Інститут металофізики ім. Г. В. Курдюмова НАН України, бульв. Академіка Вернадського, 36, 03142 Київ, Україна
$^{3}$Донецький фізико-технічний інститут ім. О. О. Галкіна НАН України, вул. Р. Люксембург, 72, 83114 Донецьк, Україна
$^{4}$Centre for Nanotechnology and Advanced Materials, Comenius University Bratislava, F2 Mlynská dolina, 84248 Bratislava, Slovak Republic
$^{5}$Alan G. MacDiarmid NanoTech Institute, University of Texas at Dallas, 800 West Campbell Road., TX-75080 Richardson, USA
$^{6}$Донецький національний технічний університет, пл. Шибанкова, 2, 85300 Покровськ, Україна

Отримано: 08.04.2024; остаточний варіант - 06.05.2024. Завантажити: PDF

Виявлення структурної та транспортної неоднорідностей у надпровідних тонких плівках за допомогою стандартного чотироточкового методу вимагає багаторазових мірянь і може бути неточним. Представлено новий підхід щодо одержання інформації про неоднорідний перехід у надпровідний стан за допомогою методики ван-дер-Пау. Запропонований метод застосовано до електрохемічно відновлених плівок оксиду Індію й Стануму (ІСО), які є водночас прозорими та надпровідними. Розглянуто зв’язок між параметрами оброблення та надпровідними характеристиками плівок ІСО й обговорено перспективи використання таких зразків в інтеґрованих фотон-надпровідних чіпах для квантового оброблення інформації.

Ключові слова: прозора надпровідність, леґований In–Sn-оксид, чотироточковий опір, температурна та кутова залежності.

URL: https://mfint.imp.kiev.ua/ua/abstract/v46/i06/0517.html

PACS: 73.63.Rt, 74.25.Gz, 74.78.-w, 74.81.-g, 75.47.Lx, 84.37.+q, 85.25.Am


ЦИТОВАНА ЛІТЕРАТУРА
  1. H. Wang, W. Porter, H. Bottner, J. Konig, L. Chen, S. Bai, T. Tritt, A. Mayolet, J. Senawiratne, C. Smith, F. Harris, P. Gilbert, J. Sharp, J. Lo, H. Kleinke, and L. Kiss, J. Electron. Mater., 42: 654 (2013). Crossref
  2. L. J. van der Pauw, Philips Res. Rep., 13: 1 (1958).
  3. L. J. van der Pauw, Philips Tech. Rev., 20: 220 (1958).
  4. D. W. Koon and C. J. Knickerbocker, Rev. Sci. Instrum., 63: 207 (1992). Crossref
  5. S. B. Kjeldby, O. M. Evenstad, S. P. Cooil, and J. W. Wells, J. Phys.: Condens. Matter, 29: 394008 (2017). Crossref
  6. M. Poláčková, E. Zhitlukhina, M. Belogolovskii, M. Gregor, T. Plecenik, and P. Seidel, Eur. Phys. J. Plus, 138: 486 (2023). Crossref
  7. M. Belogolovskii, M. Poláčková, E. Zhitlukhina, B. Grančič, L. Satrapinskyy, M. Gregor, and T. Plecenik, Sci. Rep., 13: 19450 (2023). Crossref
  8. H. Ohta, M. Orita, M. Hirano, H. Tanji, H. Kawazoe, and H. Hosono, Appl. Phys. Lett., 76: 2740 (2000). Crossref
  9. N. Mori, J. Appl. Phys., 73: 1327 (1993). Crossref
  10. A. E. Aliev, K. Xiong, K. Cho, and M. B. Salamon, Appl. Phys. Lett., 101: 252603 (2012). Crossref
  11. A. E. Aliev, M. Jung de Andrade, and M. B. Salamon, J. Supercond. Nov. Magn., 29: 1793 (2016). Crossref
  12. X.-B. Xu, W.-T. Wang, L.-Y. Sun, and C.-L. Zou, Chip, 1: 100016 (2022). Crossref
  13. Y. K. Kwong, K. Lin, P. J. Hakonen, M. S. Isaacson, and J. M. Parpia, Phys. Rev. B, 44: 462 (1991). Crossref
  14. E. Rudenko, D. Solomakha, I. Korotash, P. Febvre, E. Zhitlukhina, and M. Belogolovskii, IEEE Trans. Appl. Supercond., 27: 1800105 (2016). Crossref
  15. J. M. Gordon and A. M. Goldman, Phys. Rev. B, 34: 1500 (1986). Crossref
  16. A. K. Singh, U. Kar, M. D. Redell, T. C. Wu, W. H. Peng, B. Das, S. Kumar, W.-C. Lee, and W. L. Lee, npj Quantum Mater., 5: 45 (2020). Crossref
  17. S. V. Postolova, A. Yu. Mironov, M. R. Baklanova, V. M. Vinokur, and T. I. Baturina, Sci. Rep., 7: 1718 (2017). Crossref
  18. J. Wan, S. D. Lacey, J. Dai, W. Bao, M. S. Fuhrer, and L. Hu, Chem. Soc. Rev., 45: 6742 (2016). Crossref
  19. M. S. Stark, K. L. Kuntz, S. J. Martens, and S. C. Warren, Adv. Mater., 31: 1808213 (2019). Crossref
  20. L. Liu, S. Yellinek, I. Valdinger, A. Donval, and D. Mandler, Electrochim. Acta, 176: 1374 (2015). Crossref
  21. M. A. Belogolovskii, Y. F. Revenko, A. Y. Gerasimenko, V. M. Svistunov, E. Hatta, G. Plitnik, V. E. Shaternik, and E. M. Rudenko, Low Temp. Phys., 28: 391 (2002). Crossref
  22. E. Batson, M. Colangelo, J. Simonaitis, E. Gebremeskel, O. Medeiros, M. Saravanapavanantham, V. Bulovic, P. D. Keathley, and K. K. Berggren, Supercond. Sci. Technol., 36: 055009 (2023). Crossref
  23. A. Walsh, J. L. Da Silva, S.-H. Wei, C. Körber, A. Klein, L. Piper, A. DeMasi, K. E. Smith, G. Panaccione, P. Torelli, D. J. Payne, A. Bourlange, and R. G. Egdell, Phys. Rev. Lett., 100: 167402 (2008). Crossref
  24. R. Woods-Robinson, Y. Xiong, J.-X. Shen, N. Winner, M. K. Horton, M. Asta, A. M. Ganose, G. Hautier, and K. A. Persson, Matter, 6: 3021 (2023). Crossref
  25. E. Zhitlukhina, M. Belogolovskii, and P. Seidel, IEEE Trans. Appl. Supercond., 28: 1700205 (2018). Crossref
  26. S. Khan, B. A. Primavera, J. Chiles, A. N. McCaughan, S. M. Buckley, A. N. Tait, A. Lita, J. Biesecker, A. Fox, D. Olaya, R. P. Mirin, S. W. Nam, and J. M. Shainline, Nat. Electron., 5: 650 (2022). Crossref