Неоднорідний питомий опір прозорих надпровідних плівок, виявлений методом Ван-дер-Пау
А. Шаповалов1, Д. Менесенко1,2, Є. Житлухіна3,4, А. Парра5, А. Алієв5, В. Шамаєв6, М. Грегор4, Т. Плеценік4
1Київський академічний університет НАН та МОН України, бульв. Академіка Вернадського, 36, 03142 Київ, Україна
2Інститут металофізики ім. Г. В. Курдюмова НАН України, бульв. Академіка Вернадського, 36, 03142 Київ, Україна
3Донецький фізико-технічний інститут ім. О. О. Галкіна НАН України, вул. Р. Люксембург, 72, 83114 Донецьк, Україна
4Centre for Nanotechnology and Advanced Materials, Comenius University Bratislava, F2 Mlynská dolina, 84248 Bratislava, Slovak Republic
5Alan G. MacDiarmid NanoTech Institute, University of Texas at Dallas, 800 West Campbell Road., TX-75080 Richardson, USA
6Донецький національний технічний університет, пл. Шибанкова, 2, 85300 Покровськ, Україна
Отримано: 08.04.2024; остаточний варіант - 06.05.2024. Завантажити: PDF
Виявлення структурної та транспортної неоднорідностей у надпровідних тонких плівках за допомогою стандартного чотироточкового методу вимагає багаторазових мірянь і може бути неточним. Представлено новий підхід щодо одержання інформації про неоднорідний перехід у надпровідний стан за допомогою методики ван-дер-Пау. Запропонований метод застосовано до електрохемічно відновлених плівок оксиду Індію й Стануму (ІСО), які є водночас прозорими та надпровідними. Розглянуто зв’язок між параметрами оброблення та надпровідними характеристиками плівок ІСО й обговорено перспективи використання таких зразків в інтеґрованих фотон-надпровідних чіпах для квантового оброблення інформації.
Ключові слова: прозора надпровідність, леґований In–Sn-оксид, чотироточковий опір, температурна та кутова залежності.
URL: https://mfint.imp.kiev.ua/ua/abstract/v46/i06/0517.html
PACS: 73.63.Rt, 74.25.Gz, 74.78.-w, 74.81.-g, 75.47.Lx, 84.37.+q, 85.25.Am