Розробка високоефективного джерела йонів з холодною катодою для йонної імплантації
О. В. Косуля$^{1}$, Б. М. Романюк$^{1}$, О. С. Оберемок$^{1}$, В. А. Батурін$^{1}$, О. Ю. Роєнко$^{2}$, С. О. Єрьомін$^{2}$, П. О. Літвінов$^{2}$
$^{1}$Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, просп. Науки, 41, 03028 Київ, Україна
$^{2}$Інститут прикладної фізики НАН України, вул. Петропавлівська, 58, 40000 Суми, Україна
Отримано: 09.10.2024; остаточний варіант - 04.06.2025. Завантажити: PDF
В даній статті описано конструкцію високоефективного джерела йонів із холодною катодою Пеннінґової системи для йонної імплантації. Джерело йонів призначене для одержання великих струмів (> 10 μА) з твердих матеріялів, температура кипіння яких вище за температуру топлення. Також проведено апробацію джерела йонів на йонному імплантері BALZERS MPB-202.
Ключові слова: йонна імплантація, джерело йонів, йонний імплантер, йони металів, напівпровідникові структури.
URL: https://mfint.imp.kiev.ua/ua/abstract/v47/i06/0575.html
PACS: 29.20.Ej, 29.25.Lg, 29.25.Ni, 29.27.Ac, 41.75.Ak, 41.75.Cn, 61.72.U-