У даній роботі методою твердотільної йонної плазми з використанням пристрою магнетронного розпорошення вирощено тонкі плівки Mn₄Si₇ та виміряно морфологію їхньої поверхні, кристалічну структуру, Міллерові індекси, параметри ґратниці, термоелектричні й електрофізичні параметри плівок. Зеєбеків коефіцієнт зменшився, і зрештою тип зразків змінився з p-типу на n-тип. Коефіцієнт потужности виявився малим (P ≅ 1–4 мВт/(м⋅К²)) та дуже слабо збільшувався в діяпазоні температур 300–450 К і різко зростав у спостережуваному нами діяпазоні 500–580 К (P ≅ 850–3690 мВт/(м⋅К²)). Зі зменшенням товщини збільшується коефіцієнт потужности. Ширину забороненої зони за кімнатної температури для зразка, виготовленого йонно-плазмовою методою, було виміряно оптично, що становило Eg = 0,354 еВ. Дослідження показали, що шари Mn₄Si₇ розміром у ≤ 40 нм можуть бути вирощені на поверхні кристалу Si, утвореного магнетронним розпорошенням, але кристал Si не утворює повнорозмірний шар Mn₄Si₇. Під час термічного нагрівання за 300–750 К спостерігалося утворення нанорозмірних бульбашок у тонкому покритті Mn₄Si₇, вирощеному в умовах вакууму, а потім вони розривалися й утворювалися нанорозмірні дефекти. За 750 К дефекти звужуються, утворюючи єдине тонке покриття Mn₄Si₇. Результати мірянь свідчать про формування тонких плівок, вирощених методою твердотільної йонної плазми, та поліпшення їхніх термоелектричних і електрофізичних властивостей.