Виготовлення та дослідження характеристик тонкоплівкових гетероструктур CuO/Cu2O на підкладинках Si/ZnO методом магнетронного розпорошення задля фотоелектричних застосувань
І. О. Косімов$^{1}$, Ш. Т. Хожієв$^{1,2}$, К. Т. Довранов$^{3}$, М. А. Давлатов$^{4}$, Ф. Ф. Арзікулов$^{2,5}$, У. Х. Холіков$^{5}$
$^{1}$Інститут біоорганічної хімії імені О. С. Содікова Академії наук Республіки Узбекистан, просп. Мірзо Улугбека, 83, 100125 Ташкент, Республіка Узбекистан
$^{2}$Ташкентський державний медичний університет, вул. Фарабі, 2, 100109 Ташкент, Республіка Узбекистан
$^{3}$Каршинський державний університет, вул. Кучабаг, 17, 180119 Карші, Республіка Узбекистан
$^{4}$Каршинський державний технічний університет, просп. Мустакіллик, 225, 180100 Карші, Республіка Узбекистан
$^{5}$Термезький державний університет інженерних та сільськогосподарських технологій, вул. Іслома Карімова, 228A, 190100 м. Термез, Республіка Узбекистан
Отримано: 16.08.2025; остаточний варіант - 16.06.2026. Завантажити: PDF
У цій роботі тонкоплівкові гетероструктури CuO і Cu2O були виготовлені на підкладинках Si/ZnO за допомогою методи магнетронного напорошення за різних умов підготовки підкладинки. Процес осадження проводився у трьох режимах: без нагрівання підкладинки, з нагріванням до 600oC та з нагріванням до 600–800oC із подальшим очищенням йонами жеврійного розряду. Було проведено всебічну характеризацію для дослідження кристалічности, фазового складу, морфології поверхні й оптичних властивостей плівок. Рентґенівська дифракційна аналіза (XRD) показала, що високотемпературний нагрів у поєднанні з йонним очищенням приводить до формування добре кристалізованих, щільних і гладких плівок із чистим фазовим складом. Зокрема, плівки Cu2O, вирощені на очищених йонами підкладинках за 800oC, продемонстрували формування 100% кристалічної фази. Сканувальна електронна мікроскопія (СЕМ) та енергодисперсійна спектроскопія (EDS) підтвердили рівномірний розподіл нанорозмірних зерен, а Раманова спектроскопія верифікувала фазову ідентифікацію CuO та Cu2O. Результати свідчать, що оптимізація температури підкладинки та попереднє оброблення поверхні істотно підвищує структурну й оптичну якість напівпровідникових шарів оксиду Купруму. Створені гетероструктури CuO/Cu2O демонструють високий потенціял для використання у високоефективних та екологічно чистих сонячних елементах.
Ключові слова: CuO, Cu2O, тонкі плівки, магнетронне розпорошення, гетероструктури, кристалічність, СЕМ, Раманова спектроскопія, сонячні елементи.
URL: https://mfint.imp.kiev.ua/ua/abstract/v48/i09/0999.html
PACS: 07.05.Fb, 61.66.Fn, 68.37.Hk, 68.55.Nq, 72.20.Pa, 72.40.+w, 81.15.Cd