Мемристорні ефекти в твердотільних гетероструктурах
Е. М. Руденко1, М. О. Білоголовський1, І. В. Короташ1, Д. Ю. Полоцький1, А. О. Краковний1, О. С. Житлухіна2
1Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України, бульв. Академіка Вернадського, 36, 03680, МСП, Київ-142, Україна
2Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України, просп. Науки, 46, 03680, МСП, Київ, Україна
Отримано: 23.06.2016. Завантажити: PDF
Обговорюється фізична природа гістерезних транспортних характеристик двох твердотільних структур. Для гетероконтактів металевого інжектора зі складним оксидом перехідних металів показано, що двозначні вольт-амперні залежності виникають внаслідок міґрації Оксиґенових вакансій під дією зовнішнього електричного поля, в той час як мемристорну поведінку наноструктурованих вуглецевих плівок зумовлено наявністю пасток для носіїв струму. В останньому випадку виявлено, що після декількох періодів зміни струму, що пропускається через вуглецеву плівку, в ній формується стан з екстремально високою провідністю. Виявлена експериментально асиметрія вольт-амперних характеристик для вуглецевих плівок відкриває можливість використання їх в якості елемента інтеґрованої мемристорної схеми, здатного усунути паразитний зв’язок між сусідніми комутаційними вузлами.
Ключові слова: мемристор, вольт-амперные характеристики, гистерезис, кислородные вакансии, наноструктурированные углеродные плёнки.
URL: http://mfint.imp.kiev.ua/ua/abstract/v38/i08/0995.html
PACS: 61.72.Hh, 73.40.Ns, 74.72.-h, 74.78.Fk, 81.40.Rs, 84.32.Ff, 85.25.Hv