Експериментально досліджено відносну інтенсивність $\gamma = I(^{3}P)/I(^{1}P)$ групи рентґенівських емісійних $K_{\alpha}L^{1}$-сателітів Ti й Cr у металах та їх йонно-ковалентних сполуках. Встановлено, що при переході від металів Ti й Cr до карбідів та оксидів TiC, Cr$_3$C$_2$, TiO$_2$, Cr$_2$O$_3$ величина $\gamma$ зменшується на 30–50% при зростанні ефективного заряду атомів металів. Причина зменшення відносної інтенсивности може бути зумовлена залежністю взаємодії конфіґурацій $KL_{2,3}(^{3}P){\varepsilon}p(^{2}S)$ та $KL_{2,3}(^{1}P){\varepsilon}p(^{2}S)$ від екранування $K$- та $L_{2,3}$-вакансій вільними електронами. У металах таке екранування істотно зменшує амплітуди переходів між станами конфіґурацій $KL_{2,3}(^{3}P){\varepsilon}p(^{2}S)$ та $KL_{2,3}(^{1}P){\varepsilon}p(^{2}S)$. В йонно-ковалентних сполуках екранування практично відсутнє; тому значне посилення Кулонової взаємодії ежектованого 2$p$-електрона з $L_{2,3}$-вакансією приводить до змішування станів $^{3}P$- та $^{1}P$-термів $KL_{2,3}$-конфіґурації через потужні міжканальні переходи $KL_{2,3}(^{3}P){\varepsilon}p(^{2}S) \to KL_{2,3}(^{1}P){\varepsilon}p(^{2}S)$.