Прикладні можливості рентґенівської топографії кристалів у косоасиметричній схемі дифракції на відбивання
І. М. Фодчук$^{1}$, Р. А. Заплітний$^{1}$, Ю. Т. Роман$^{1}$, В. Б. Молодкін$^{2}$, Т. П. Владимирова$^{2}$, З. Свянтек$^{3}$
$^{1}$Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, вул. Коцюбинського, 2, 58012 Чернівці, Україна
$^{2}$Інститут металофізики ім. Г. В. Курдюмова НАН України, бульв. Академіка Вернадського, 36, 03142 Київ, Україна
$^{3}$Інститут металургії та матеріалознавства, Польська академія наук, вул. Реймонта, 25, 30-059 Краків, Польща
Отримано: 03.03.2018. Завантажити: PDF
Показано прикладні можливості використання модифікованої топографічної методи Берґа–Баррета в косоасиметричній схемі дифракції Рентґенових променів на відбивання при дослідженні морфології та структурних змін поблизу поверхні кристалів. Контрольована зміна екстинкційної глибини проникнення Рентґенових променів відкриває нові можливості дослідження структурних змін у напівпровідникових матеріялах після різних зовнішніх впливів.
Ключові слова: рентґенівська дифракція, рентґенівська топографія, структурна діягностика, метода Берґа–Баррета.
URL: http://mfint.imp.kiev.ua/ua/abstract/v40/i05/0561.html
PACS: 07.85.-m, 41.50.+h, 61.05.C-, 61.72.Ff, 68.55.J-, 68.55.Ln, 81.05.Dz