Прикладні можливості рентґенівської топографії кристалів у косоасиметричній схемі дифракції на відбивання
І. М. Фодчук1, Р. А. Заплітний1, Ю. Т. Роман1, В. Б. Молодкін2, Т. П. Владимирова2, З. Свянтек3
1Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, вул. Коцюбинського, 2, 58012 Чернівці, Україна
2Інститут металофізики ім. Г. В. Курдюмова НАН України, бульв. Академіка Вернадського, 36, 03142 Київ, Україна
3Інститут металургії та матеріалознавства, Польська академія наук, вул. Реймонта, 25, 30-059 Краків, Польща
Отримано: 03.03.2018. Завантажити: PDF
Показано прикладні можливості використання модифікованої топографічної методи Берґа–Баррета в косоасиметричній схемі дифракції Рентґенових променів на відбивання при дослідженні морфології та структурних змін поблизу поверхні кристалів. Контрольована зміна екстинкційної глибини проникнення Рентґенових променів відкриває нові можливості дослідження структурних змін у напівпровідникових матеріялах після різних зовнішніх впливів.
Ключові слова: рентґенівська дифракція, рентґенівська топографія, структурна діягностика, метода Берґа–Баррета.
URL: http://mfint.imp.kiev.ua/ua/abstract/v40/i05/0561.html
PACS: 07.85.-m, 41.50.+h, 61.05.C-, 61.72.Ff, 68.55.J-, 68.55.Ln, 81.05.Dz