В роботі проведено детальну аналізу структур із множинними квантовими ямами (МКЯ) AlN/GaN, вирощених на підкладинках AlN(0001). Було досліджено вплив шерсткости та зміни товщини шарів структури з МКЯ по глибині на 2$\theta‒\omega$-скани, виміряні в Бреґґовій геометрії дифракції для симетричних рефлексів. Показано, що зміна товщини квантових ям і бар’єрів по глибині приводить до асиметричного розширення сателітних піків МКЯ на 2$\theta‒\omega$-сканах. Шерсткість спричинює симетричне розширення піків, що уможливлює розрізнити вплив цих ефектів. Розглянуто кілька причин асиметричного розширення сателітних піків: зміну товщини періоду, зміну середнього параметра ґратниці періоду, який залежить від співвідношення товщин шарів періоду, та їх комбінації. Ефективність розробленої методи показано шляхом числового моделювання рентґенівських спектрів.