Самоорганізовані індійові наноструктури одержано на надвисоковакуумній поверхні сколювання (100) напівпровідникового шаруватого кристалу In$_4$Se$_3$. Невеликі швидкості та тривалості напорошення індію вибиралися з метою дослідження ростової орієнтації та природи наноструктур на поверхні (100)In$_4$Se$_3$, які вивчали за допомогою сканувальної тунельної мікроскопії (СТМ). Форма цих наноструктур безпосередньо залежить від концентрації надстехіометричного індію в розтопі під час вирощування кристалу, змінюючись від тривимірних острівців за низької концентрації до лінійних форм, тобто нанодротів, у випадку сильно леґованих індієм кристалів. СТМ з високим розріжненням уможливлює встановити, що квазиперіодичні нанодроти ростуть вздовж осі $c$ кристалу In$_4$Se$_3$ на поверхні (100). За допомогою сканувальної тунельної спектроскопії з просторовим розріжненням встановлено металічну природу поверхневих наноструктур на напівпровідниковій підкладинці. Встановлено, що механізм росту напорошених наноструктур зумовлений борознистою структурою ґратниці на поверхні (100) кристалу In$_4$Se$_3$ з наявністю у ній зародків індію у концентрації, яка залежить від кількости надстехіометричного ростового індію, що інтеркалюється у міжшарову щілину.