Експериментально досліджено відносну інтенсивність групи рентгенівських емісійних ліній $K\alpha_{1,2}$ та $K\alpha L^1$ $\gamma$ = $I$($K\alpha_3$)/[$I$($K\alpha_4$) + $I$($K\alpha{'}$)] та $\eta$ = $I$($K\alpha L^1$)/$I$($K\alpha_{1,2}$) при електронному бомбардуванні металу Al у діапазоні енергій електронів 2–15 кеВ. Встановлено, що наближення енергії електронів до порогу $KL_{2,3}$-іонізації (енергія порогу $E_{KL}$ = 1,671 кэВ) супроводжується зростанням відносної інтенсивності $\gamma$, яке складає 18% при найменшій досягнутій енергії пучка $E$ = 2 кеВ. Ефект відображує біляпорогове збільшення відношення перерізів збудження $^1P$- та $^3P$-термів $KL_{2,3}$-конфігурації $\sigma$($^3P$)/$\sigma$($^1P$). Показано, що таке зростання не може бути пов’язаним з двостадійним «shake-off» механізмом двоелектронної іонізації, ефективність якого біля енергетичного порогу значно зменшується. Запропоновано пояснення ефекту проявом прямої двоелектронної $KL_{2,3}$-іонізації при непружному розсіюванні електрона атомом Al. На прикладі двоелектронного збудження 1$s^12p^1$($^1P$)–3$s^14p^1$($^1P$) та $s^12p^1$1($^1P$)–3$s^14p^1$($^3P$) атому гелію теоретично показано, що при наближенні енергії електрона до порогу відношення $\sigma$($^3P$)/$\sigma$($^1P$) стрімко збільшується за рахунок зростання обмінної взаємодії. Зроблено висновок про домінуючу роль механізму прямої двоелектронної іонізації при біляпороговій $KL_{2,3}$-іонізації металу Al електронним ударом.