Високороздільча Х-променева дифрактометрія кристалічних сполук з розвиненою дислокаційною структурою
І. М. Фодчук1, А. Р. Кузьмін1, І. І. Гуцуляк1, М. С. Солодкий1, О. Л. Маслянчук1, Ю. Т. Роман1, В. П. Кладько2, О. Й. Гудименко2, В. Б. Молодкін3, В. В. Лізунов3
1Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, вул. Коцюбинського, 2, 58012 Чернівці, Україна
2Інститут фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАН України, просп. Науки, 41, 03028 Київ, Україна
3Інститут металофізики ім. Г. В. Курдюмова НАН України, бульв. Академіка Вернадського, 36, 03142 Київ, Україна
Отримано: 16.06.2021. Завантажити: PDF
Структурні дефекти кристалічних сполук впливають на працездатність приладів, виготовлених на основі таких матеріалів. Запропоновано методику розрахунку дислокаційної структури таких сполук з проміжними значеннями густин дислокацій (∼105–106 см−2). Показано вплив різного роду дефектів на формування дифузної та когерентної складових розподілів інтенсивності розсіяння Х-променів. Розглянуто вірогідні дислокаційні реакції як на межах блоків, так і всередині кристалів. На основі кінематичної теорії Кривоглаза з використанням методу Монте-Карло досліджено можливу дислокаційну систему у вигляді набору повних 60°-дислокацій та частинних дислокацій.
Ключові слова: кристалічні сполуки, високороздільча Х-променева дифрактометрія, дефектна структура, метод Монте-Карло, криві гойдання, карти оберненого простору.
URL: https://mfint.imp.kiev.ua/ua/abstract/v43/i10/1289.html
PACS: 07.85.-m, 61.05.cc, 61.72.Lk, 61.72.Mm