Високороздільча Х-променева дифрактометрія кристалічних сполук з розвиненою дислокаційною структурою
І. М. Фодчук$^{1}$, А. Р. Кузьмін$^{1}$, І. І. Гуцуляк$^{1}$, М. С. Солодкий$^{1}$, О. Л. Маслянчук$^{1}$, Ю. Т. Роман$^{1}$, В. П. Кладько$^{2}$, О. Й. Гудименко$^{2}$, В. Б. Молодкін$^{3}$, В. В. Лізунов$^{3}$
$^{1}$Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, вул. Коцюбинського, 2, 58012 Чернівці, Україна
$^{2}$Інститут фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАН України, просп. Науки, 41, 03028 Київ, Україна
$^{3}$Інститут металофізики ім. Г. В. Курдюмова НАН України, бульв. Академіка Вернадського, 36, 03142 Київ, Україна
Отримано: 16.06.2021. Завантажити: PDF
Структурні дефекти кристалічних сполук впливають на працездатність приладів, виготовлених на основі таких матеріалів. Запропоновано методику розрахунку дислокаційної структури таких сполук з проміжними значеннями густин дислокацій (∼10$^{5}$–10$^{6}$ см$^{−2}$). Показано вплив різного роду дефектів на формування дифузної та когерентної складових розподілів інтенсивності розсіяння Х-променів. Розглянуто вірогідні дислокаційні реакції як на межах блоків, так і всередині кристалів. На основі кінематичної теорії Кривоглаза з використанням методу Монте-Карло досліджено можливу дислокаційну систему у вигляді набору повних 60°-дислокацій та частинних дислокацій.
Ключові слова: кристалічні сполуки, високороздільча Х-променева дифрактометрія, дефектна структура, метод Монте-Карло, криві гойдання, карти оберненого простору.
URL: https://mfint.imp.kiev.ua/ua/abstract/v43/i10/1289.html
PACS: 07.85.-m, 61.05.cc, 61.72.Lk, 61.72.Mm