Методою 3$\omega$ досліджено ефективну поперечну теплопровідність $\lambda_{\perp}$ тонких плівок AlN. Плівки AlN товщиною 1–3 мкм синтезовано на підкладинках з монокристалічного Si або Al в гібридному геліконно-дуговому йонно-плазмовому реакторі. Одержані плівки на межі з підкладинкою мали тонкий шар невпорядкованого AlN товщиною біля 200 нм. Для плівок AlN на підкладинках з монокристалічного Si одержано високе значення коефіцієнта теплопровідности $\lambda_{\perp\textrm{Si}}$ = 82,9 Вт/(м$\cdot$К). Для плівок AlN на підкладинках з Al одержано значення $\lambda_{\perp\textrm{Al}}$ = 45,8 Вт/(м$\cdot$К), що є найвищим серед відомих для металічних підкладинок з Al. Проведена оцінка теплового опору $R_{\textrm{q}}$ межі між плівками AlN і підкладинками Si або Al. Для інтерфейсу AlN/Si одержано значення $R_{\textrm{q intSi}}$ = 2,3$\cdot10^{-8}$ (м$^{2}\cdot$К)/Вт, а для інтерфейсу AlN/Al — $R_{\textrm{q intAl}}$ = 4,3$\cdot10^{-8}$ (м$^{2}\cdot$К)/Вт.